[实用新型]检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种检测装置，特别涉及一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置。 

背景技术

参照图3，文献“P.Rudolph，A.Engel，I.Schentke，A.Grochocki，Journal of Crystal Growth，1995，147：297-304”公开了一种检测CdTe以及CdZnTe晶体中富Te相的装置，即在普通光学显微镜的基础上进行了改造，该装置包括照射样品的光源1、夹持晶体3的载物台6、物镜7、镜筒4、红外CCD8以及用于固定光学元件的支撑杆10和底座11。但是由于载物台6在水平方向无法精确定位，使得观察的视场有限，通常观察到的视场小于2mm²。且不能实现图像的拼接，不适于测试尺寸较大的晶体。 

文献“Xiaowen Zhang，Zenglin Zhao，Pengju Zhang，Rongbin Ji，Quanbao Li，Journal of Crystal Growth.2009，311：286～291”公开了一种检测晶体中富Te相的方法，报道了利用红外透过显微镜观察CdZnTe晶体中某一截面的红外透过图像，并通过统计富Te相颗粒在单位面积内的数量，进而得到其面密度，但是由于缺少厚度方向的精确定位，未能实现分层域聚焦成像，不能进行富Te相颗粒的体密度分析。 

发明内容

为了克服现有检测半导体晶体中富Te相的装置很难获得尺寸较大的视场，以及不能实现对晶体厚度方向的分层域聚焦成像的缺点，本实用新型提供一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置。该装置通过改变变焦镜筒的放大倍数实现了视场可调，同时高精度四坐标三维自动平移台的运用实现对富Te相的体密度观察。 

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案：一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置，包括光源1、镜筒4、载物台6、物镜7和红外CCD8，其特点是还包括透镜2、滤光片5、光学隔振平台9和电脑，所述光源1是卤钨灯，通过支撑杆固定于光学隔振平台9的一端，并通过电脑控制光源1的发光强度，光源1前置一透镜2，改变透镜2与光源1的距离调节光线的聚焦程度；透镜2右边放置滤光片5，并用支撑杆固定于光学隔振平台9上；所述载物台6是三维自动平移台，位于滤光片5右边，通过支撑杆固定于光学隔振平台9上，并与控制电脑相连；所述物镜7是红外光物镜，位于载物台右边，并用支撑杆固定于光学隔振平台9上；红外CCD8则由支撑杆固定 于光学隔振平台9的另一端，并通过同轴电缆与控制电脑相连，用于红外光图像的采集；镜筒4是变焦镜筒，物镜7通过镜筒4与红外CCD8连接。 

本实用新型的有益结果是： 

1、由于该装置中载物台采用了定位精度较高的三维自动平移台，通过调整焦平面的位置，即调节Z轴位置达到沿晶体厚度方向分层域聚焦成像，实现了对富Te相的三维观察，克服了现有设备仅能分析富Te相的二维分布。 

2、由于该装置中采用变焦镜筒联接红外光物镜与红外CCD，克服现有设备视场固定的缺点，视场在336μm×230μm至1.512μm×1.032μm范围内可调。 

3、采用该测试方法，根据基于Labview的图像收集和处理系统实现了对图片的自动拼接，观察晶体的最大尺寸为80mm×80mm×50mm。 

4、采用基于Labview的图像处理系统，对拼接好的图片不同灰度区域进行统计，获得了富Te相在晶体内三维尺度上尺寸、密度的分布规律。 

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作详细说明。 

附图说明

图1是本实用新型检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置结构示意图。 

图2是实施例2采用该方法获得的CdZnTe晶体中富Te相密度分布图。 

图3是背景技术检测CdTe及CdZnTe晶体中富Te相的装置结构示意图。 

图中，1-光源，2-透镜，3-晶体，4-镜筒，5-滤光片，6-载物台，7-物镜，8-红外CCD，9-光学隔振平台，10-支撑杆，11-底座。 

具体实施方式

以下实施例参照图1～3。