[实用新型]横向结构LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种LED芯片结构技术，尤其涉及一种横向结构LED芯片。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)作为半导体照明元件正快速地进入通用照明领域。

现有横向结构LED芯片结构如图1A和图1B所示，图1B为图1A所示横向结构LED芯片的A-A截面示意图。横向结构LED芯片包括生长衬底101，在生长衬底101上依次形成有半导体外延层、透明电极105和钝化层107，其中，半导体外延层包括N-类型限制层102、活化层103和P-类型限制层104，N-类型限制层102形成在生长衬底101上，活化层103形成在N-类型限制层102上，P-类型限制层104形成在活化层103上。半导体外延层的N-类型限制层102和P-类型限制层104需要分别连通至外部电路，现有技术采用的方法是在半导体外延层上形成一外延层平台(mesa)，通常是在形成透明电极105后通过刻蚀来形成外延层平台以露出底部的N-类型限制层102。而后再形成钝化层107，则钝化层107覆盖在外延层平台的N-类型限制层102上，且覆盖在剩余半导体外延层和透明电极105的顶面和侧面，以实现绝缘。随后在N-类型限制层102上的钝化层107中形成N过孔以暴露出N-类型限制层102，在P-类型限制层104的透明电极105上的钝化层107中形成P过孔以暴露出P-类型限制层104上的透明电极105。最后在N过孔和P过孔处分别形成N打线焊盘111和P打线焊盘112，通过N打线焊盘111可以连接N-类型限制层102，通过P打线焊盘112可以经过透明电极105连接P-类型限制层104，N打线焊盘111和P打线焊盘112作为连接电极，使N-类型限制层102和P-类型限制层104可以分别连接外部电路进行导电。

但是，上述结构的横向结构LED芯片存在的缺陷在于：外部电路输入的电流通过焊盘直接输入到N-类型限制层和P-类型限制层上，在焊盘处会产生电流拥塞(current crowding)，电流拥塞一方面会降低芯片寿命，另一方面会降低芯片发光效率。电流拥塞还导致电流向芯片中的扩展分布不均匀，难以向芯片输入大电流。然而，向芯片输入大电流是快速降低芯片成本、减少巨额投资的重要方法，因此现有技术的横向结构LED芯片需要解决电流拥塞的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种横向结构LED芯片，以减少LED芯片中出现的电流拥塞现象，从而使电流扩展分布更加均匀，改善LED芯片的光电性能。

为实现上述目的，本实用新型提出了一种横向结构LED芯片，包括：依次形成在生长衬底上的半导体外延层、透明电极和钝化层，以及连接电极，其中所述半导体外延层包括依次形成在所述生长衬底上的N-类型限制层、活化层和P-类型限制层，其中：

所述半导体外延层上形成有至少一个半导体外延层平台，所述半导体外延层平台的底面露出所述N-类型限制层；

所述钝化层覆盖所述透明电极以及所述半导体外延层平台的侧面和底面；

所述横向结构LED芯片还包括至少两个半通槽，分别开设在所述半导体外延层平台底面和所述透明电极上覆盖的钝化层中以分别露出所述N-类型限制层和所述透明电极，至少一个所述半通槽的形状为条形；

所述连接电极包括N-打线焊盘、P-打线焊盘和条形电极，所述条形电极形成在条形的半通槽中并与相应的打线焊盘相连，所述N-打线焊盘穿过所述N-类型限制层上的半通槽与所述N-类型限制层连通，所述P-打线焊盘穿过所述透明电极上的半通槽与所述透明电极连通。

如上所述的横向结构LED芯片，优选的是，所述条形电极与所连的打线焊盘一体同步成型。

如上所述的横向结构LED芯片，优选的是，所述半导体外延层平台形成在所述LED芯片的周边，所述半通槽的数量为两个，即P-半通槽和N-半通槽，所述N-半通槽环绕地形成在所述半导体外延层平台底面的钝化层中作为所述条形的半通槽，形成在所述N-半通槽中的条形电极环绕形成在所述P-半通槽中的P-打线焊盘。

如上所述的横向结构LED芯片，优选的是，所述N-半通槽中的条形电极的中心与所述P-打线焊盘的中心重合。

如上所述的横向结构LED芯片，优选的是，所述半导体外延层平台形成在所述LED芯片的中心，所述半通槽的数量为两个，即P-半通槽和N-半通槽，所述P-半通槽环绕地形成在所述透明电极上的钝化层中作为所述条形的半通槽，形成在所述P-半通槽中的条形电极环绕形成在所述N-半通槽中的N-打线焊盘。