[实用新型]横向结构LED芯片

权利要求书

1.一种横向结构LED芯片，包括：依次形成在生长衬底上的半导体外延层、透明电极和钝化层，以及连接电极，其中所述半导体外延层包括依次形成在所述生长衬底上的N-类型限制层、活化层和P-类型限制层，其特征在于：

所述半导体外延层上形成有至少一个半导体外延层平台，所述半导体外延层平台的底面露出所述N-类型限制层；

所述钝化层覆盖所述透明电极以及所述半导体外延层平台的侧面和底面；

所述横向结构LED芯片还包括至少两个半通槽，分别开设在所述半导体外延层平台底面和所述透明电极上覆盖的钝化层中以分别露出所述N-类型限制层和所述透明电极，至少一个所述半通槽的形状为条形；

所述连接电极包括N-打线焊盘、P-打线焊盘和条形电极，所述条形电极形成在条形的半通槽中并与相应的打线焊盘相连，所述N-打线焊盘穿过所述N-类型限制层上的半通槽与所述N-类型限制层连通，所述P-打线焊盘穿过所述透明电极上的半通槽与所述透明电极连通。

2.根据权利要求1所述的横向结构LED芯片，其特征在于：所述条形电极与所连的打线焊盘一体同步成型。

3.根据权利要求1或2所述的横向结构LED芯片，其特征在于：所述半导体外延层平台形成在所述LED芯片的周边，所述半通槽的数量为两个，即P-半通槽和N-半通槽，所述N-半通槽环绕地形成在所述半导体外延层平台底面的钝化层中作为所述条形的半通槽，形成在所述N-半通槽中的条形电极环绕形成在所述P-半通槽中的P-打线焊盘。

4.根据权利要求3所述的横向结构LED芯片，其特征在于：所述N-半通槽中的条形电极的中心与所述P-打线焊盘的中心重合。

5.根据权利要求1或2所述的横向结构LED芯片，其特征在于：所述半导体外延层平台形成在所述LED芯片的中心，所述半通槽的数量为两个，即P-半通槽和N-半通槽，所述P-半通槽环绕地形成在所述透明电极上的钝化层中作为所述条形的半通槽，形成在所述P-半通槽中的条形电极环绕形成在所述N-半通槽中的N-打线焊盘。

6.根据权利要求5所述的横向结构LED芯片，其特征在于：所述P-半通槽中的条形电极的中心与所述N-打线焊盘的中心重合。

7.根据权利要求1或2所述的横向结构LED芯片，其特征在于，所述条形电极的形状为圆环形或正多边环形。

8.根据权利要求1或2所述的横向结构LED芯片，其特征在于：还包括反射层，其中，

所述反射层形成在所述P-类型限制层和所述透明电极之间，所述反射层的位置、形状和尺寸与所述钝化层上形成的部分所述P-打线焊盘相对应；或

所述反射层形成在所述钝化层和所述透明电极之间，所述反射层的位置、形状和尺寸与所述钝化层上形成的部分所述P-打线焊盘相对应；或

所述反射层形成在所述钝化层和所述钝化层上形成的部分所述P-打线焊盘之间，所述反射层的位置、形状和尺寸与所述钝化层上形成的部分所述P-打线焊盘相对应；或

所述反射层形成在所述N-类型限制层与所述N-打线焊盘之间，所述反射层的位置、形状和尺寸与所述N-打线焊盘相对应；或

所述反射层形成在所述N-类型限制层和所述钝化层之间，所述反射层的位置、形状和尺寸与所述钝化层上形成的部分所述N-打线焊盘相对应；或

所述反射层形成在所述钝化层和所述钝化层上形成的部分所述N-打线焊盘之间，所述反射层的位置、形状和尺寸与所述钝化层上形成的部分所述N-打线焊盘相对应。

9.根据权利要求1或2所述的横向结构LED芯片，其特征在于：还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层形成在所述透明电极和所述P-类型限制层之间，所述电流阻挡层的位置、形状和尺寸与所述钝化层上形成的部分所述P-打线焊盘相对应。

10.根据权利要求1或2所述的横向结构LED芯片，其特征在于：还包括阵列形式排列的微结构，所述微结构形成在所述透明电极或钝化层的表面上。

11.根据权利要求10所述的横向结构LED芯片，其特征在于：所述微结构的形状为圆柱形、圆锥形、棱锥形、半球形或球冠形。