[实用新型]不对称式真空灭弧室纵向磁场触头结构无效
申请号: | 201020239328.6 | 申请日: | 2010-06-28 |
公开(公告)号: | CN201796810U | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 孙鹏;邵淑文 | 申请(专利权)人: | 沈阳工业大学 |
主分类号: | H01H33/664 | 分类号: | H01H33/664 |
代理公司: | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人: | 宋铁军 |
地址: | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不对称 真空 灭弧室 纵向 磁场 结构 | ||
技术领域:本发明属于电力领域,具体指一种适用于各种真空断路器和真空接触器的真空灭弧室纵向磁场触头系统。
背景技术:真空开关灭弧室是真空断路器和接触器的核心,其性能指标直接关系到真空开关的工作和寿命指标。真空灭弧室的核心技术是采用合适的能够产生特定磁场的触头结构,其中包括横向磁场触头结构和纵向磁场触头结构,后者更适合大容量真空开关。
目前的所有真空灭弧室纵向磁场触头均采用对称式结构,即动、静触头各安放一线圈。为了产生足够强且比较均匀的纵向磁场,通常采用1/2、1/3/或1/4匝线圈结构,为保证触头系统具有一定的机械强度和较小的回路电阻,纵向磁场触头结构的体积和质量较大,而质量大的动触头对于提高其运动速度非常不利,而触头的开断速度对于真空断路器开断性能的提高至关重要。因此,在本技术领域内存在着发明新的纵向磁场触头结构以提高真空开关性能的需要。
发明内容:
发明目的:本发明提出一种不对称式纵向磁场触头结构,目的在于简化其结构并减轻质量,以此来最终提高真空开关的性能。
技术方案:本实用新型是通过以下技术方案实施的:
不对称式真空灭弧室纵向磁场触头结构,包括绝缘外壳,与绝缘外壳一端固定连接的静导电杆,静导电杆与静触头固定连接;与静导电杆所在端相对应的绝缘外壳另一端固定连接动导电杆,动导电杆与动触头固定连接,动触头与静触头之间存在空隙,其特征在于:所述静导电杆与静触头之间安放有纵向磁场线圈,而动导电杆与动触头之间无需安放任何线圈结构。
所述纵向磁场线圈为多层结构。
优点及效果:本实用新型的优点在于:
动触头不必设置线圈结构,从而使得其结构得到简化,其机械强度得以提高,更重要的是可以减轻其质量,这对触头分断速度及由此而产生的开断性能的提高十分有利。灭弧室中的纵向磁场由静触头线圈产生,由于静触头和静触杆是与真空灭弧室外壳采用固定连接,其体积和质量的要求要比对动触头的要求低得多。因此,可以采用机械强度高、回路电阻小、且能产生足够强且均匀的纵向磁场的静触头结构。这一方面有利于提高真空开关的极限开断电流,另一方面,由于触头回路电阻的减少,还可以提高真空开关的工作电流。该不对称真空纵向磁场触头结构适用于大容量真空断路器。
附图说明:
图1为对称式纵向磁场触头结构示意图;
图2为本实用新型所述不对称式纵向磁场触头结构示意图;
附图标记说明:
1、绝缘外壳2、动导电杆3、动触头4、静导电杆5、静触头6、纵向磁场线圈7、波纹管。
具体实施方式:
下面结合附图对本实用新型进行具体说明:
图1为现有技术中对称式纵向磁场触头结构示意图,如图所示,包括静触头5和动触头3,在动触头3和静触头5各安放有1个纵向磁场线圈6,导致纵向磁场触头结构的体积和质量较大,进而影响真空断路器开断性能。
图2为本实用新型所述不对称式纵向磁场触头结构示意图,如图所示,包括绝缘外壳1,与绝缘外壳1一端固定连接的静导电杆4,静导电杆4与静触头5固定连接,在静导电杆4与静触头5之间安放有多层结构的纵向磁场线圈6;与静导电杆4所在端相对应的绝缘外壳1另一端固定连接动导电杆2,动导电杆2与动触头3固定连接,动导电杆2与动触头3之间无需安放任何线圈结构;动触头3与静触头5之间存在空隙。
真空灭弧室纵向磁场仅由静导电杆4与静触头5之间的纵向磁场线圈6产生,当电流流过图2中所示的路径时,将会在在动触头3、静触头5之间产生所需的纵向磁场。通过采用不对称式的触头结构,在保证足够强的纵向磁场的条件下,使得动触头3结构得以简化,其机械强度得以提高,质量得以降低,有利于触头开断速度的提高,进而可改善真空开关的开断性能。
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