[实用新型]不对称式真空灭弧室纵向磁场触头结构无效
| 申请号： | 201020239328.6 | 申请日： | 2010-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN201796810U | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 孙鹏;邵淑文 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01H33/664 | 分类号： | H01H33/664 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 不对称 真空 灭弧室 纵向 磁场 结构 | ||
【权利要求书】：
1.不对称式真空灭弧室纵向磁场触头结构，包括绝缘外壳(1)，与绝缘外壳(1)一端固定连接的静导电杆(4)，静导电杆(4)与静触头(5)固定连接；与静导电杆(4)所在端相对应的绝缘外壳(1)另一端固定连接动导电杆(2)，动导电杆(2)与动触头(3)固定连接，动触头(3)与静触头(5)之间存在空隙，其特征在于：所述静导电杆(4)与静触头(5)之间安放有纵向磁场线圈(6)，而动导电杆(2)与动触头(3)之间无需安放任何线圈结构。
2.根据权利要求1所述不对称式真空灭弧室纵向磁场触头结构，其特征在于：所述纵向磁场线圈(6)为多层结构。
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