[实用新型]一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器无效
| 申请号: | 201020159386.8 | 申请日: | 2010-04-14 |
| 公开(公告)号: | CN201638834U | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
| 发明(设计)人: | 付姚;罗昔贤;彭勇;于涛;冯威 | 申请(专利权)人: | 大连海事大学 |
| 主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/072 |
| 代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 李洪福 |
| 地址: | 116026 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 纳米 线异质结 阵列 紫外光 探测器 | ||
1.一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器,包括玻璃基底(1)、导电薄膜(2),所述的导电薄膜(2)位于玻璃基底(1)上;其特征在于:所述的玻璃基底(1)是石英玻璃基底(1),所述的导电薄膜(2)上有作为紫外光吸收层的NiO-TiO2纳米线异质结阵列(3)和至少一个N型欧姆电极(5),所述的NiO-TiO2纳米线异质结阵列(3)上有至少一个P型欧姆电极(4)。
2.根据权利要求1所述的一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器,其特征在于:所述的导电薄膜(2)为ITO导电薄膜(2)或FTO导电薄膜(2)。
3.根据权利要求1所述的一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器,其特征在于:所述的NiO-TiO2纳米线异质结阵列(3)为TiO2纳米线阵列(31)和NiO纳米线阵列(32)通过线-线对接构成,所述的TiO2纳米线阵列(31)由生长方向垂直于导电薄膜(2)的TiO2纳米线(311)平行排列构成,且每一根TiO2纳米线(311)上端均生长有一根NiO纳米线(321);所述的NiO纳米线阵列(32)由生长在TiO2纳米线(311)上端、生长方向与TiO2纳米线(311)方向一致的NiO纳米线(321)平行排列构成;所述的NiO纳米线阵列(32)中的每一根NiO纳米线(321)均与TiO2纳米线阵列(31)中与之位置相同的一根TiO2纳米线(311)相连,构成NiO-TiO2纳米线异质结。
4.根据权利要求1所述的一种纳米线异质结阵列基紫外光探测器,其特征在于:所述的P型欧姆电极(4)和N型欧姆电极(5)为点状结构或环形结构或曲线结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





