[发明专利]一种脉冲激光单粒子翻转截面的实验方法

权利要求书

1.脉冲激光单粒子翻转截面的实验方法，其特征在于：用i个不同能量E的脉冲激光，进行扫描辐照芯片，激光辐照器件总次数M，检测器件发生的单粒子事件数N，则能量为E(i)的激光照射下器件的单粒子翻转截面σ(i)为：

式中，S为器件芯片面积，单位为cm²/器件。

根据试验数据就可以得出不同能量下激光单粒子翻转截面σ，从而得到激光单粒子翻转截面σ～E能量曲线。

2.根据权利要求1所述的脉冲激光单粒子翻转截面的实验方法，其特征在于：其具体实施步骤如下：

(1)试验样品准备：试验前应使用开盖装置对试验样品进行开盖处理；开盖后，对样品进行电性能和功能参数的测试，合格后进行后续试验，并对样品进行编号；

(2)试验装置放置：将试验样品插在DUT板上，DUT板固定在xyz精密移动平台上，应防止DUT短路和晃动，保证DUT板与xyz精密移动平台的移动一致性，并确保被测芯片表面的敏感部位与脉冲激光束垂直；

(3)正确连接测试系统、DUT板、供电系统等，对测试系统进行加电测试，检测样品和系统运行是否正常；

(4)在确保样品工作正常的基础上，开启脉冲激光辐射源，对试验中选取波长的激光进行光束聚焦和定位；

(5)确定辐照原点坐标、扫描参数信息及激光辐照器件总次数M。在样品工作正常的基础上，选取设定数值的脉冲激光能量开始扫描辐照，即用i个不同能量E的脉冲激光来进行芯片辐照；在辐照过程中，监测系统实时监测被测样品发生的单粒子翻转现象表征、通过记录的单粒子翻转现象表征来统计单粒子事件数N，再根据以上试验记录的激光辐照器件总次数M检测器件发生的单粒子事件数N，则能计算出E(i)的激光照射下器件的单粒子翻转截面σ(i)为：

式中，S为事先设定的器件芯片面积，单位为cm²；

根据试验数据就得出不同能量下激光单粒子翻转截面σ，从而得到激光单粒子翻转截面σ～E曲线；

(7)试验完毕后，关闭脉冲激光模拟试验系统和测控系统；

(8)将获取器件激光单粒子翻转截面及σ～E曲线代入空间单粒子预估软件实现对被试器件抗单粒子翻转能力的预估；

如果需要，可在辐照完毕后，改变激光能量，重复上述步骤(1)-(5)进行辐照试验，记录相应的数据。直至达到试验目的，便结束试验。

3.根据权利要求1所述的脉冲激光单粒子翻转截面的实验方法，其特征在于：i≥5。

4.根据权利要求1所述的脉冲激光单粒子翻转截面的实验方法，其特征在于：激光辐照器件总次数M中，脉冲激光辐照器件的次数与重离子辐照在器件上的粒子数相同。

5.根据权利要求1所述的脉冲激光单粒子翻转截面的实验方法，其特征在于：扫描参数信息包括x轴移动速度、y轴移动速度、x轴和y轴移动的时间间隔。

6.根据权利要求1所述的脉冲激光单粒子翻转截面的实验方法，其特征在于：选取设定数值的脉冲激光能量的原则是，试验开始时选取较小的能量辐照，试验能量由低到高。

7.根据权利要求1所述的脉冲激光单粒子翻转截面的实验方法，其特征在于：在该实验中也记录有样品的电参数，为进一步的器件防护提供参考。