[发明专利]具有窗口加热结构的基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种在腔室内产生等离子体而执行基板表面处理工艺的基板处理装置。

背景技术

大规模集成电路(LSI：Large Scale Integrated Circuit)或平板显示装置(FPD：Flat Panel Display)这样的电子器件，在制造过程中要对基板执行真空处理工艺。

这种真空处理工艺是，向腔室内导入气体，通过高压放电产生等离子体，而且利用该等离子体的加速力使基板表面上的物质以物理方式喷溅(sputter)的方法，和利用等离子体的活性种以化学方式分解基板表面上的物质的方法。

按照形成等离子体的方法，利用等离子体的基板处理技术可以分为等离子体蚀刻(PE：Plasma Etching)、反应离子蚀刻(RIE：Reactive IonEtching)、磁增强反应离子蚀刻(MERIE：Magneticaly Enhanced ReactiveIon Etching)、电子回旋共振(ECR：Electron Cyclotron Resonance)、变换耦合等离子体(TCP；Transformer Coupled Plasma)以及电感耦合等离子体(ICP：Inductively Coupled Plasma)等。

特别是，高密度等离子体的形成和玻璃(或者半导体)基板上的等离子体浓度的均匀性，对沉积或者蚀刻性能具有很大的影响。为此，变换多种方式开发了用于产生等离子体的方法，其中之一是电感耦合等离子体产生方式(ICP：Inductively Coupled Plasma)。

这种电感耦合等离子体方式是，利用在电介质的外部缠绕线圈来改变电磁场时，在线圈内部产生感应磁场、并且在反应腔室内形成由此产生的二次感应电流的原理，来产生高密度等离子体的方法。

利用ICP方法的基板处理装置的结构通常是，在腔室的内部下侧具备搭载基板的下部电极，在腔室或者与该腔室接合的导引架的上部具备施加RF电源的天线，并且一边向腔室内供给反应气体、一边产生等离子体，从而能够执行基板表面处理工艺。

这样的基板处理装置在执行等离子体处理工艺的过程中，在陶瓷窗口的下端部堆积聚合物等蚀刻副产物，当这样堆积的副产物在基板处理工艺中脱落的情况下，会产生工艺不良。

为了解决这样的问题，利用了在陶瓷窗口前设置蚀刻副产物堆积防止罩的方式等，但是，随着平板显示装置等的大型化，腔室以及窗口也变得大型化，因此，存在通过以往的加热方式不能有效地防止副产物堆积在窗口上的问题。

以上说明的背景技术的内容是本申请的发明者为了导出本发明而拥有或者在导出本发明的过程中所获得的技术信息，不能认为上述内容应当是在申请本发明之前对一般公众公开的公知技术。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而做出的，其目的在于提供一种具有窗口加热结构的基板处理装置，通过将加热空气以喷射方式供给到窗口上进行加热，由此能够防止在窗口上堆积副产物，从而提高设备的可靠性。

另外，本发明的目的在于提供又一种具有窗口加热结构的基板处理装置，利用一个冷却器加热窗口并冷却天线，由此能够以简单的结构提高设备性能。

为了解决上述问题，本发明涉及的具有窗口加热结构的基板处理装置，包括：腔室，执行基板处理工艺；窗口，设置在上述腔室的上部，并且由绝缘体构成，以便在腔室内部和天线之间起到耦合作用；加热管，配置在上述窗口的上部，向上述窗口的上表面喷射加热空气来加热窗口；加热空气供给机构，向上述加热管供给加热空气。

优选的是，上上述腔室包括腔室主体和与该腔室主体的上部接合的导引架，上述导引架包括构成四边形框体的外廓面的外廓架、和在上述外廓架的内部相互连接进行分隔以构成多个窗口的分隔架，在其中央部配置有被上述分隔架分隔而成的中央窗口，以上述中央窗口为中心在该中央窗口的周边配置有被上述分隔架分隔成多个的多个周边窗口，上述加热管构成为可对上述中央窗口和上述周边窗口的全部进行加热。

优选的是，上述加热管以水平方向配置在上述窗口的上部，并且朝着窗口方向形成有多个喷射口。

也可以是，上述加热空气供给机构是同时产生加热空气和冷却空气的涡流发生器。

此时，优选的是，在上述天线的内部形成有可使冷却流体通过的流路，在上述加热空气供给机构产生的冷却空气被供给至上述天线的流路，可冷却天线。