[发明专利]集成电路结构的形成方法

权利要求书

1.一种集成电路结构的形成方法，包括：

提供一晶片，包括一基底与一半导体鳍片设置于该基底的一主要表面上；

进行一第一沉积步骤，外延生长一第一外延层在该半导体鳍片的一上表面与侧壁上，其中该第一外延层包括一半导体材料；以及

在进行该第一沉积步骤之后，进行一第一蚀刻步骤，移除该第一外延层的一部分，使得该第一外延层的一剩余部分留在该半导体鳍片的该上表面与该侧壁上。

2.如权利要求1所述的集成电路结构的形成方法，其中在进行该第一沉积步骤与该第一蚀刻步骤之间不会有破真空发生。

3.如权利要求1所述的集成电路结构的形成方法，还包括：

进行一第二沉积步骤，外延生长一第二外延层在该第一外延层的该剩余部分之上，并与该剩余部分接触；以及

在该第二沉积步骤之后，进行一第二蚀刻步骤，减薄该第二外延层的厚度；

其中在该第二蚀刻步骤之后，该第二外延层的一剩余部分留在该第一外延层的该剩余部分上。

4.如权利要求1所述的集成电路结构的形成方法，其中在该第一沉积步骤中选择性地导入一蚀刻气体。

5.如权利要求1所述的集成电路结构的形成方法，其中该第一蚀刻步骤使用HCl与GeH₄作为工艺气体。

6.一种集成电路结构的形成方法，包括：

提供一晶片，包括一基底与一半导体鳍片设置于该基底的一主要表面上；

形成一栅极介电层与一栅极电极，覆盖在该半导体鳍片的一第一部分上，使得该半导体鳍片的一第二部分未被该栅极介电层与该栅极电极覆盖；以及

进行一第一沉积-蚀刻循环，包括：

进行一第一沉积步骤，形成一第一外延半导体层在该半导体鳍片的该第二部分上；以及

进行一第一蚀刻步骤，减薄该第一外延半导体层的厚度，其中该第一沉积步骤与该第一蚀刻步骤在相同位置进行，且在该第一沉积步骤与该第一蚀刻步骤之间无破真空发生。

7.如权利要求6所述的集成电路结构的形成方法，还包括进行一第二沉积-蚀刻循环，包括：

进行一第二沉积步骤，形成一第二外延半导体层在该第一外延半导体层上；以及

进行一第二蚀刻步骤，减薄该第二外延半导体层的厚度，其中该第二沉积步骤与该第二蚀刻步骤在相同位置进行，且在该第二沉积步骤与该第二蚀刻步骤之间无破真空发生；

其中在该第二蚀刻步骤之后，该第二外延半导体层的一剩余部分留在该第一外延半导体层上。

8.如权利要求6所述的集成电路结构的形成方法，其中在该第一蚀刻步骤之后，该第一外延半导体层的一剩余部分具有椭圆形的表面轮廓。

9.一种集成电路结构的形成方法，包括：

提供一晶片，包括：

一半导体基底；

两个浅沟槽隔绝区，位于该半导体基底内；以及

一半导体鳍片，水平地介于所述两个浅沟槽隔绝区之间，且位于所述两个浅沟槽隔绝区之上；

形成一栅极介电层与一栅极电极，覆盖在该半导体鳍片的一第一部分上，使得该半导体鳍片的一第二部分未被该栅极介电层与该栅极电极覆盖；以及

进行多个沉积-蚀刻循环，每个沉积-蚀刻循环包括：

进行一沉积步骤，形成一外延层在该半导体鳍片的该第二部分上；以及

进行一蚀刻步骤，减薄该外延层的厚度。

10.如权利要求9所述的集成电路结构的形成方法，其中该沉积步骤选择性地在该半导体鳍片上进行，使得所述两个浅沟槽隔绝区上无外延层沉积。