[发明专利]一种发光二极管无效
申请号: | 201010580887.8 | 申请日: | 2010-12-09 |
公开(公告)号: | CN102082217A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 吴少红 | 申请(专利权)人: | 深圳市凯信光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/64;H01L33/00 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 王睿 |
地址: | 518055 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:基底、与所述基底直接连接的晶片,和至少两个通过绝缘层附于所述基底上的导电层;所述晶片的电极分别与所述导电层电连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述基底采用金属材料制成。
3.如权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述基底的部分未被所述晶片或绝缘层覆盖;在所述基底的表面进行了表面处理,以增强反光效果。
4.如权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,对所述基底所进行的表面处理选择:抛光处理,或光学处理以在其表面形成蜂巢式分布的小反射腔。
5.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述导电层包括:相互分离的第一导电体和第二导电体,所述晶片包括:第一电极和第二电极;所述第一导电体通过导线电连接所述第一导电体,所述第二导电体通过导线电连接所述第二导电体。
6.如权利要求1至5中任一所述的发光二极管,其特征在于,在所述基底的边缘,设置有围坝,在所述围坝内填有胶层以覆盖所述基底、晶片和导电层。
7.如权利要求6所述的发光二极管,其特征在于,所述围坝采用透明硅胶。
8.如权利要求1至5中任一所述的发光二极管,其特征在于,所述基底、晶片和导电层上覆盖有胶层,所述胶层以以下方法覆盖:
模具步骤:将附有晶片和导电层的基底放入浇注模具内;
浇注步骤:浇注胶体;
成型步骤:所述胶体固定成型,撤去所述浇注模具。
9.如权利要求1至5中任一所述的发光二极管,其特征在于,所述基底、晶片和导电层上覆盖有胶层,所述胶层以以下方法覆盖:
夹具步骤:将附有晶片和导电层的基底的边缘设置夹具;
浇注步骤:向所述夹具内浇注胶体;
成型步骤:所述胶体固定成型,撤去所述浇注夹具。
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