[发明专利]光电转换元件和光电转换元件制造方法有效

专利信息
申请号: 201010571325.7 申请日: 2007-04-17
公开(公告)号: CN102082189A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 笹川慎也;长谷川真也;高桥秀和;荒尾达也 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/10;H01L27/146
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 柯广华;卢江
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光电 转换 元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光电转换元件,包括:

导电层;以及

在所述导电层上的光电转换层,所述光电转换层包括第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层的堆叠层,

其中在所述导电层上的所述第一半导体层包含一种导电类型的杂质元素,

其中在所述第一半导体层上形成所述第二半导体层,

其中在所述第二半导体层上的所述第三半导体层包含与所述第一半导体层中杂质元素相反导电类型的杂质元素,

其中所述光电转换层的侧表面包括带第一锥角的表面和带第二锥角的表面,

其中带所述第一锥角的所述表面包括所述第一半导体层的侧表面和所述第二半导体层的侧表面,

其中带所述第二锥角的所述表面包括所述第三半导体层的侧表面,以及

其中带所述第一锥角的所述表面和带所述第二锥角的所述表面具有不同的锥角。

2.如权利要求1所述的光电转换元件,

其中所述第一到第三半导体层包含硅作为主要成分。

3.如权利要求1所述的光电转换元件,

其中所述第一半导体层是p型半导体层,

其中所述第二半导体层是本征半导体层,

其中所述第三半导体层是n型半导体层,以及

其中所述导电层在透光衬底上方形成。

4.如权利要求1所述的光电转换元件,

其中所述导电层具有锥形。

5.如权利要求1所述的光电转换元件,

其中所述第一半导体层在保护层上方形成,以及

其中所述保护层覆盖所述导电层的端部。

6.如权利要求1所述的光电转换元件,

其中所述第一半导体层在保护层上方形成,

其中所述保护层覆盖所述导电层的端部,

其中所述保护层具有滤色层,以及

其中在所述滤色层与所述光电转换层之间提供了涂层。

7.如权利要求1所述的光电转换元件,

其中所述光电转换元件在基层上方形成,以及

其中所述基层包括从由聚酰亚胺、丙烯酸树脂、环氧树脂及其组合组成的组中选择的材料。

8.如权利要求1所述的光电转换元件,

其中所述光电转换元件在基层上方形成,

其中所述基层包括从由聚酰亚胺、丙烯酸树脂、环氧树脂及其组合组成的组中选择的材料,以及

其中所述基层中未与所述光电转换元件重叠的区域不平整。

9.如权利要求1所述的光电转换元件,

其中所述光电转换元件在基层上方形成,

其中所述基层包括从由聚酰亚胺、丙烯酸树脂、环氧树脂及其组合组成的组中选择的材料,

其中所述基层中未与所述光电转换元件重叠的区域不平整,以及

其中在所述基层中不平整的所述区域上方提供了由与所述基层相同的材料形成的层。

10.如权利要求1所述的光电转换元件,

其中所述导电层包括透光导电材料。

11.如权利要求1所述的光电转换元件,

其中所述导电层包括钛。

12.如权利要求1所述的光电转换元件,

其中在与所述光电转换元件的端部重叠的区域中提供了光阻层。

13.一种光电转换元件,包括:

导电层;以及

光电转换层,所述光电转换层包括第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层的堆叠层,

其中在所述导电层上的所述第一半导体层包含一种导电类型的杂质元素,

其中在所述第一半导体层上形成所述第二半导体层,

其中在所述第二半导体层上的所述第三半导体层包含与所述第一半导体层中杂质元素相反导电类型的杂质元素,

其中所述光电转换层的侧表面包括带第一锥角的表面和带第二锥角的表面,

其中带所述第一锥角的所述表面包括所述第一半导体层的侧表面和所述第二半导体层的侧表面,

其中带所述第二锥角的所述表面包括所述第三半导体层的侧表面,以及

其中带所述第一锥角的所述表面具有比带所述第二锥角的所述表面更大的锥角。

14.如权利要求13所述的光电转换元件,

其中所述第一到第三半导体层包含硅作为主要成分。

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