[发明专利]涂布式太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号: | 201010564101.3 | 申请日: | 2010-11-24 |
| 公开(公告)号: | CN102479846A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
| 发明(设计)人: | 张一熙;梅长锜;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市维诗律师事务所 11393 | 代理人: | 杨安进 |
| 地址: | 201707 上海市青*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 涂布式 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法,特别是指一种利用涂布方式形成二氧化钛光触媒层的涂布式太阳能电池及其制造方法。
背景技术
高油价时代来临及国际各国对于环保与气候暖化的关注,促使绿色能源产业快速成长,目前在全球的规模已达到数十亿美元。绿色能源又称为洁净能源(包括水资源、太阳能、风能、地热、清洁煤等),举凡对环境有利的产业都包括在绿能的定义中。而随着节能、低碳议题发烫,其中又以太阳能电池最受到瞩目,太阳能电池具有使用方便、取之不尽、用之不竭、无废弃物、无污染、无转动部分、无噪音、可阻隔辐射热、使用寿命长、尺寸可随意变化、并与建筑物作结合及普及化等优点。尤其中国台湾多数地区日照非常充足,因此相当适合推广太阳能发电的应用及产业发展。
建筑整合型太阳光电系统(Building Integrated Photovoltaics,BIPV)是目前相当提倡的绿色建筑,在地狭人稠与土地价格昂贵的地区,它是解决土地设置成本过高与整合发电设备与建筑物外观的最佳方案。但要如何将具较低成本的太阳能电池结合于此系统,以有效提高绿色建筑的普及性,增进永续性与环保的替代性能源的使用率,也成为一个重要的课题。
再者,尽管建筑整合型太阳光电系统一般来说,设置完成后,并无需经常性地予以维护,因此寿命都可达到20年以上;然而,毕竟乃是设置于建筑物外部,经年累月的风吹雨淋,表面难免会沾粘灰尘、异物等,虽然不至于影响基本运作,但是因为附着于表面,却会影响太阳光线实际照射的比率,等同降低了整体太阳光电系统的效率。但是,建筑整合型太阳光电系统与建筑物结合、甚至取代了传统的外墙,因此清洗上更是不容易。
发明内容
鉴于以上的问题,本发明的主要目的在于提供一种涂布式太阳能电池及其制造方法,利用涂布的方式来形成二氧化钛光触媒层,凭借氧化还原反应,可以分解水中杂质及脏污,而可大体上解决背景技术存在的缺失。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案包括:
一种涂布式太阳能电池,其特征在于,包含有:
一内透明基板;
一第一透明导电层,位于该内透明基板上;
一第一型半导体层,位于该第一透明导电层上;
一本质型半导体层,位于该第一型半导体层上;
一第二型半导体层,位于该本质型半导体层上;
一第二透明导电层,位于该第二型半导体层上;
一外透明基板,位于该第二透明导电层上;及
一个二氧化钛光触媒层,利用涂布方式形成于该外透明基板表面,当该二氧化钛光触媒层照射光源后,凭借氧化还原反应,可以分解水中杂质及脏污。
其中:该内透明基板的材质选自玻璃、石英、透明塑胶、蓝宝石基板及透明可挠性材料的群组组合中任一。
其中:该第一型半导体层是透明P型半导体,则该第二型半导体层是透明N型半导体,或该第一型半导体层是透明N型半导体,则该第二型半导体层是透明P型半导体。
其中:该透明P型半导体的材质选自于铜铝氧化物、铜镓氧化物、铜钪氧化物、铜铬氧化物、铜铟氧化物、铜钇氧化物及银铟氧化物的透明导电氧化物的群组组合中任一,且该透明N型半导体的材质选自于氧化锌、氧化锡、氧化铟锌及氧化铟锡的透明导电氧化物的群组组合中任一。
其中:更包含一设置于该二氧化钛光触媒层上方的喷水器。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案还包括:
一种涂布式太阳能电池的制造方法,其特征在于,其步骤包含:
提供一内透明基板;
在该内透明基板上形成一第一透明导电层;
在该第一透明导电层上形成一第一型半导体层;
在该第一型半导体层上形成一本质型半导体层;
在该本质型半导体层上形成一第二型半导体层;
在该第二型半导体层上形成一第二透明导电层;
在该第二透明导电层上形成一外透明基板;及
利用涂布方式,在该外透明基板表面形成一二氧化钛光触媒层,以形成一涂布式太阳能电池。
其中:该内透明基板的材质选自玻璃、石英、透明塑胶、蓝宝石基板及透明可挠性材料的群组组合中任一。
其中:该第一型半导体层是透明P型半导体,则该第二型半导体层是透明N型半导体,或该第一型半导体层是透明N型半导体,则该第二型半导体层是透明P型半导体。
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