[发明专利]涂布式太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号: | 201010564101.3 | 申请日: | 2010-11-24 |
| 公开(公告)号: | CN102479846A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
| 发明(设计)人: | 张一熙;梅长锜;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市维诗律师事务所 11393 | 代理人: | 杨安进 |
| 地址: | 201707 上海市青*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 涂布式 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种涂布式太阳能电池,其特征在于,包含有:
一内透明基板;
一第一透明导电层,位于该内透明基板上;
一第一型半导体层,位于该第一透明导电层上;
一本质型半导体层,位于该第一型半导体层上;
一第二型半导体层,位于该本质型半导体层上;
一第二透明导电层,位于该第二型半导体层上;
一外透明基板,位于该第二透明导电层上;及
一个二氧化钛光触媒层,利用涂布方式形成于该外透明基板表面,当该二氧化钛光触媒层照射光源后,凭借氧化还原反应,可以分解水中杂质及脏污。
2.根据权利要求1所述的涂布式太阳能电池,其特征在于:该内透明基板的材质选自玻璃、石英、透明塑胶、蓝宝石基板及透明可挠性材料的群组组合中任一。
3.根据权利要求1所述的涂布式太阳能电池,其特征在于:该第一型半导体层是透明P型半导体,则该第二型半导体层是透明N型半导体,或该第一型半导体层是透明N型半导体,则该第二型半导体层是透明P型半导体。
4.根据权利要求3所述的涂布式太阳能电池,其特征在于:该透明P型半导体的材质选自于铜铝氧化物、铜镓氧化物、铜钪氧化物、铜铬氧化物、铜铟氧化物、铜钇氧化物及银铟氧化物的透明导电氧化物的群组组合中任一,且该透明N型半导体的材质选自于氧化锌、氧化锡、氧化铟锌及氧化铟锡的透明导电氧化物的群组组合中任一。
5.根据权利要求1所述的涂布式太阳能电池,其特征在于:更包含一设置于该二氧化钛光触媒层上方的喷水器。
6.一种涂布式太阳能电池的制造方法,其特征在于,其步骤包含:
提供一内透明基板;
在该内透明基板上形成一第一透明导电层;
在该第一透明导电层上形成一第一型半导体层;
在该第一型半导体层上形成一本质型半导体层;
在该本质型半导体层上形成一第二型半导体层;
在该第二型半导体层上形成一第二透明导电层;
在该第二透明导电层上形成一外透明基板;及
利用涂布方式,在该外透明基板表面形成一二氧化钛光触媒层,以形成一涂布式太阳能电池。
7.根据权利要求6所述的涂布式太阳能电池的制造方法,其特征在于:该内透明基板的材质选自玻璃、石英、透明塑胶、蓝宝石基板及透明可挠性材料的群组组合中任一。
8.根据权利要求6所述的涂布式太阳能电池的制造方法,其特征在于:该第一型半导体层是透明P型半导体,则该第二型半导体层是透明N型半导体,或该第一型半导体层是透明N型半导体,则该第二型半导体层是透明P型半导体。
9.根据权利要求8所述的涂布式太阳能电池的制造方法,其特征在于:该透明P型半导体的材质选自于铜铝氧化物、铜镓氧化物、铜钪氧化物、铜铬氧化物、铜铟氧化物、铜钇氧化物及银铟氧化物的透明导电氧化物的群组组合中任一,且该透明N型半导体的材质选自于氧化锌、氧化锡、氧化铟锌及氧化铟锡的透明导电氧化物的群组组合中任一。
10.根据权利要求8所述的涂布式太阳能电池的制造方法,其特征在于:形成该二氧化钛光触媒层的步骤之后,更包含一个设置于该二氧化钛光触媒层上方的喷水器。
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