[发明专利]镀膜件及其制作方法无效
申请号: | 201010555145.X | 申请日: | 2010-11-23 |
公开(公告)号: | CN102477532A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;彭立全 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/34 |
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地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜 及其 制作方法 | ||
1.一种镀膜件,其包括一基体及形成于基体表面的抗指纹层,其特征在于:该抗指纹层为一纳米级二氧化锡层,其表面形成有纳米级的乳突结构。
2.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于:所述抗指纹层的厚度在2微米以下。
3.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于:所述抗指纹层的厚度为0.1~0.5微米。
4.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于:所述基体与所述抗指纹层直接相结合的表面的粗糙度为0.1~0.2微米。
5.如权利要求1所述的镀膜件,其特征在于:所述基体由金属材料或非金属材料制成。
6.一种镀膜件的制作方法,其包括如下步骤:
提供一基体;
采用真空溅镀法在该基体的表面溅镀一抗指纹层,该抗指纹层为一纳米级二氧化锡层,其表面形成有纳米级的乳突结构。
7.如权利要求6所述的镀膜件的制作方法,其特征在于:溅镀所述抗指纹层以金属锡为靶材,对基体设置-100~-300V的偏压,溅镀温度为20~200℃,以氧气为反应气体,氧气的流量为15~120sccm,以氩气为工作气体,氩气的流量为300~400sccm,溅镀时间为5~60分钟。
8.如权利要求6所述的镀膜件的制作方法,其特征在于:所述制作方法还包括在溅镀抗指纹层前对基体进行前处理的步骤。
9.如权利要求8所述的镀膜件的制作方法,其特征在于:所述前处理包括对基体进行超声波清洗及氩气等离子体轰击的步骤。
10.如权利要求9所述的镀膜件的制作方法,其特征在于:所述氩气等离子体轰击的时间为20~30min,该氩气等离子体轰击后所述基体的表面粗糙度为0.1~0.2μm。
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