[发明专利]Z轴电容式加速度计有效
申请号: | 201010552669.3 | 申请日: | 2010-11-19 |
公开(公告)号: | CN102466736B | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 蒋乐跃;周汉秦 | 申请(专利权)人: | 美新半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | G01P15/125 | 分类号: | G01P15/125 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 王爱伟 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 加速度计 | ||
技术领域
本发明涉及一种微机电系统的电容式加速度计,尤其涉及一种用于测量 Z轴加速度的电容式加速度计。
背景技术
采用微电子机械系统技术实现的微型电容式加速度计,由于具有体积小、 重量轻、精度高和成本低等优点,使得其在军事、汽车工业、消费类电子产 品等领域具有广泛的应用前景。
电容式加速度计的基本工作原理是,待测加速度产生的惯性力引起敏感 电容的极板间隙或极板交叠面积变化,使电容变化与加速度大小成比例关系, 通过信号处理电路获取敏感电容的变化即可获得加速度的大小。对于测量Z 轴(垂直于工作平面)加速度信号的加速度计,由于受MEMS加工工艺特点 的限制,多采用变间隙型敏感电容。
现有的Z轴电容式加速度计,通常采用一块相对于转动轴不对称的平板, 当存在垂直于该平板的加速度即Z轴方向加速度输入时,平板将绕着转动轴 转动,平板与下面的玻璃基片的间距改变,从而使相应的一对差动电容一个 增大一个减小,测量差动电容值即可获得Z轴输入的加速度值。由于驱动质 量块和电容感应极板是一体的,而电容感应极板通常相对于转动轴是对称的。 所以,驱动质量块只能设置在转动轴的远端。但由于该处于转动轴远端位置 的驱动质量块只能在惯性力作用下产生转动,因而,在有些情况下,其是无 法产生感应电容的。也就是说,这实质上是限制了电容传感器的灵敏度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有Z轴电容式加速度计灵敏度小的 缺陷,提供一种高灵敏度的Z轴电容式加速度计。
为了解决上述技术问题,本发明所提出的技术方案是:
一种Z轴电容式加速度计,其包括电容感应极板、驱动质量块以及连接 梁。其中电容感应极板包括正电容感应极板和负电容感应极板,驱动质量块 和电容感应极板相互分离,正电容感应极板和负电容感应极板分别位于驱动 质量块的两侧。当驱动质量块转动时,电容感应极板通过连接梁随之转动。
进一步的,在不同实施方式中,其中所述电容感应极板具有第一转动轴, 所述驱动质量块具有第二转动轴,所述第一转动轴和第二转动轴相互平行。
进一步的,在不同实施方式中,其中正电容感应极板和负电容感应极板 相对于所述第一转动轴对称。
进一步的,在不同实施方式中,其中第二转动轴设置在所述驱动质量块 的一个侧边。
进一步的,在不同实施方式中,其中驱动质量块相对于所述第一转动轴 对称。
进一步的,在不同实施方式中,其中连接梁与所述第一转动轴和第二转 动轴平行。
进一步的,在不同实施方式中,其中第一转动轴包括上第一转动轴、下 第一转动轴,以及连接所述上第一转动轴和下第一转动轴的第一锚点,所述 上第一转动轴和下第一转动轴具有相同长度。
进一步的,在不同实施方式中,其中第二转动轴包括上第二转动轴、下 第二转动轴,以及连接所述上第二转动轴和下第二转动轴的第二锚点,所述 上第二转动轴和下第二转动轴具有相同长度。
进一步的,在不同实施方式中,其中连接梁包括相同长度的上连接梁和 下连接梁。
进一步的,在不同实施方式中,其中电容感应极板的转动方向与驱动质 量块的转动方向相反。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明涉及的Z轴电容式加速 度计,采用驱动质量块和电容感应极板相互分离的结构,将正负电容感应极 板分别设置在驱动质量块的两侧,由此有效增大电容感应极板相对于其转动 轴的距离,使得电容感应极板转动时位移幅度增大,从而有效提高测量Z轴 方向加速度的灵敏度。
附图说明
图1是本发明设计的Z轴电容式加速度计的逻辑结构示意图;和
图2是沿图1中所示的A-A向的剖视结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的具体实施方式。
请参见图1所示,本发明涉及的一种Z轴电容式加速度计,其包括电容 感应极板1、驱动质量块2以及用于连接电容感应极板1和驱动质量块2的 连接梁3。
其中电容感应极板1和驱动质量块2相互分离,电容感应极板1包括分 设于驱动质量块2两侧的正电容感应极板11和负电容感应极板12,以及连 接正电容感应极板11、负电容感应极板12的连接件13。电容感应极板1用 于与衬底电板(未显示)配合形成电容变化。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美新半导体(无锡)有限公司,未经美新半导体(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010552669.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种永磁同步电机定子
- 下一篇:多点传感器落锤式弯沉仪