[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：

提供形成有衬垫氧化层的半导体衬底；

在所述衬垫氧化层表面形成刻蚀停止层，位于中心区域与位于边缘区域的刻蚀停止层具有厚度差；

其特征在于，还包括：沿所述刻蚀停止层的表面氧化所述刻蚀停止层形成缓冲层，位于中心区域与位于边缘区域的所述缓冲层的厚度差与位于中心区域与位于边缘区域的刻蚀停止层的厚度差对应；

形成位于衬底内且贯穿所述缓冲层、刻蚀停止层、所述衬垫氧化层的浅沟槽；

形成位于所述缓冲层表面且填充满所述浅沟槽的介质层；

平坦化所述介质层与缓冲层直至暴露出刻蚀停止层。

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述缓冲层材料为氧化硅。

3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述缓冲层的形成工艺为强氧化工艺。

4.如权利要求3所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，强氧化工艺采用的设备为原位蒸流反应设备。

5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述强氧化工艺参数为：原位蒸流反应温度为900度至1200度，反应气体为H₂与O₂的混合气体，H₂与O₂混合气体流量为0.1SLM至50SLM，原位蒸流反应压力为0.1Torr至100Torr。

6.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，原位蒸流反应温度为900度至1200度，反应气体为H₂与N₂O的混合气体，H₂与N₂O的混合气体气体流量为0.1SLM至50SLM，原位蒸流反应压力为0.1Torr至100Torr。

7.如权利要求5或6所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，若位于边缘区域的刻蚀停止层厚度大于中心区域的刻蚀停止层，位于边缘区域的刻蚀停止层原位蒸流反应温度高于中心区域的刻蚀停止层；若位于边缘区域的刻蚀停止层厚度小于中心区域的刻蚀停止层，位于边缘区域的刻蚀停止层原位蒸流反应温度低于中心区域的刻蚀停止层。

8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述介质层材料为氧化硅。

9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，还包括：去除所述刻蚀停止层和所述衬垫氧化层。