[发明专利]复合电极板及PECVD沉积盒和PECVD系统有效
申请号: | 201010545964.6 | 申请日: | 2010-11-16 |
公开(公告)号: | CN101988192A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
发明(设计)人: | 李毅;虞晓江;胡盛明;李志坚 | 申请(专利权)人: | 深圳市创益科技发展有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50 |
代理公司: | 深圳市毅颖专利商标事务所 44233 | 代理人: | 张艺影 |
地址: | 518029 广东省深圳市福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 极板 pecvd 沉积 系统 | ||
技术领域
本发明涉及薄膜太阳能电池、平板显示等领域中的PECVD薄膜及相关器件的制备设备,特别是一种具有复合电极板的PECVD薄膜及相关器件的制备设备。
背景技术
PECVD(等离子体增强化学气相沉积)通过等离子放电产生活性基团来促进薄膜生成的反应,能显著降低CVD薄膜制备的温度,使某些原本需要在高温下进行的CVD镀膜反应可以在较低温度下进行。
PECVD所使用的设备包含电极板,电极板间距显著影响PECVD所制备的薄膜的性能。电极板间距过大,则薄膜沉积的速度会明显降低,成膜的质量也会下降。电极板间距太小,则薄膜沉积的均匀性会难以控制。对于PECVD制备的非晶硅锗等薄膜来说,电极板间距还可以明显影响薄膜的光敏性等性能(参见J.V. Sali, et al: Thin Solid Films 322 (1998) 1)。因此,根据不同的薄膜的特点调节PECVD电极板间距具有重要的意义。
美国专利《Discharge Electrode, RF Plasma Generation Apparatus Using the Same, And Power Supply Method》(Pub. No.: 2002/6353201 B1)采用梯形电极的多点馈入的方法来提高电极板放电和薄膜制备的均匀性,但此专利并未涉及电极板间距的调整方法。美国专利《Low-Cost and High Performance Solar Cell Manufacturing Machine》(Pub. No.: 2007/0137574 A1)采用单点馈入并且电极板上打孔的方法来提高电极板放电和薄膜制备的均匀性,但此专利中电极板的位置固定并且电极板的间距难以做灵活调整。
发明内容
本发明提供一种复合电极板,其特征在于包括固定片和两个活动片;所述活动片设置在所述固定片的两边;所述活动片与所述固定片之间的距离可以调节。
上述活动片和固定片之间既可以相互平行,也可以不平行。
本发明还提供一种使用上述复合电极板的PECVD沉积盒和PECVD系统。
使用上述复合电极板的PECVD系统可以灵活调整电极板的间距,实现电极板间均匀放电。
附图说明
图1:第一实施例的PECVD设备外观示意图
图2:第一实施例的PECVD沉积盒外观示意图
图3:第一实施例的PECVD沉积盒剖视图
图4:第一实施例的阴极复合电极板外观示意图
图5:第一实施例的复合电极板的横向剖视图
图6:第一实施例的复合电极板的阶梯轴的平面图
图7:第二实施例的具有倾角的复合电极板的纵向剖视图
图8:第三实施例的阵列电极沉积盒示意图
01、真空腔室,02、沉积盒,03、支架,1、沉积盒外壳,2、阳极电极板,3、作为阴极的复合电极板,4、电极馈入线,5、基片支撑轮,6、基片,7、固定槽,8、绝缘槽,11、沉积盒侧框架,12、滚轮,13、沉积盒下固定板,14、沉积盒上固定板,31、复合电极板的固定片,32、复合电极板的活动片,33、阶梯轴,34、垫片,35、螺母。
具体实施方式
以下结合本发明的实施例参照例图详细叙述本发明的PECVD系统、PECVD沉积盒以及复合电极板。
实施例1:
图1 是第一实施例的PECVD系统设备外观示意图 。如图1所示,本发明相关的PECVD系统主要由真空腔室01、沉积盒02和支架03组成。
图2是第一实施例的PECVD沉积盒外观示意图。如图所示,沉积盒02由沉积盒外壳1、阳极电极板2、作为阴极的复合电极板3、固定槽7和绝缘槽8组成。作为阴极的复合电极板3和阳极电极板2放置在沉积盒外壳1的上固定板14和下固定板13的中间,分别固定在焊接在其上的固定槽7内。放置复合电极板3所含的固定片31的固定槽7内装有绝缘槽8,与沉积盒外壳1绝缘开来。沉积盒外壳1通过滚轮12接地,阳极电极板2通过固定槽7与沉积盒外壳1一起接地。
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