[发明专利]阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。

现有液晶显示器的液晶面板包括阵列基板和彩膜基板。阵列基板的典型结构是包括衬底基板；衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线；数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的像素单元；每个像素单元包括TFT开关和像素电极；TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；栅电极连接栅线，源电极连接数据线，漏电极连接像素电极，有源层形成在源电极和漏电极与栅电极之间。衬底基板上一般还形成有公共电极线，用于向公共电极输入公共电压。

阵列基板上的导电图案普遍采用五次或四次掩模(MASK)工艺进行制造。但五次或四次掩模工艺存在制备流程多、成本高等缺陷。因此，简化制备工艺是液晶显示器制造技术中的研究方向之一。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制造方法，以实现降低工艺流程复杂度。

本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上形成栅金属薄膜，在所述栅金属薄膜上涂覆光刻胶，并采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括第一厚度区域、第二厚度区域和完全去除区域的光刻胶图案，所述第一厚度区域的光刻胶图案至少位于栅线区域上方，所述第二厚度区域的光刻胶图案位于栅线引线连接区域上方，且第一厚度小于第二厚度；

进行刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的栅金属薄膜，形成包括栅线、栅电极和栅线引线的图案，并按照所述第一厚度区域光刻胶的第一厚度灰化去除光刻胶；

在形成上述图案的衬底基板上连续沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜和源漏金属薄膜，在所述源漏金属薄膜上涂覆光刻胶，并采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括第三厚度区域、第四厚度区域和完全去除区域的光刻胶图案，所述第三厚度区域的光刻胶图案至少位于源漏电极区域和数据线引线连接区域上方，所述第四厚度区域的光刻胶图案位于沟道区域上方，且第四厚度小于第三厚度；

进行刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜和源漏金属薄膜，并按照所述第四厚度区域光刻胶的第四厚度灰化去除光刻胶；进行刻蚀，刻蚀掉沟道区域的源漏金属薄膜和部分有源层薄膜，形成TFT沟道；并将剩余的光刻胶图案以及栅线引线连接区域上方的栅金属薄膜和光刻胶剥离；

在形成上述图案的衬底基板上通过光刻工艺形成像素电极。

本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板上形成有导电图案和像素电极，所述导电图案至少包括栅线、数据线、有源层、源电极和漏电极，所述像素电极和所述漏电极直接连接。

本发明阵列基板及其制造过程中，只采用了三次掩模工艺，第一次是在形成栅线、栅电极和栅线引线的工艺过程中，第二次是在形成TFT沟道的工艺过程中，第三次是在像素电极的工艺工程中。本发明通过三次掩模，四次刻蚀可以完成阵列基板的制备，简化了阵列基板的制备流程，降低了阵列基板的制造成本，且制造的阵列基板中，像素电极和漏电极之间能够可靠导通。

附图说明

图1为本发明阵列基板的制造方法实施例一的流程图；

图2为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法中阵列基板在第一次光刻工艺后一条栅线的结构示意图；

图3为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法中在形成栅金属薄膜后沿图2中A-A向的剖面结构示意图；

图4为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法中在形成栅金属薄膜后沿图2中B-B向的剖面结构示意图；

图5为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法中对涂覆在栅金属薄膜上的光刻胶进行曝光显影后沿图2中A-A向的剖面结构示意图；

图6为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法中对涂覆在栅金属薄膜上的光刻胶进行曝光显影后沿图2中B-B向的剖面结构示意图；

图7为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法中对图5所示的图案进行刻蚀后的剖面结构示意图；

图8为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法中对图6所示的图案进行刻蚀后的剖面结构示意图；

图9为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法中对图7所示的图案进行光刻胶灰化后的剖面结构示意图；

图10为本发明实施例一提供的阵列基板的制造方法中对图8所示的图案进行光刻胶灰化后的剖面结构示意图；