[发明专利]层迭封装堆栈式集成电路封装系统及其制造方法有效
申请号: | 201010516101.6 | 申请日: | 2010-10-18 |
公开(公告)号: | CN102044452A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 朴炯相;梁悳景;崔大植 | 申请(专利权)人: | 史特斯晶片封装公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/768;H01L21/66;H01L23/52 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;龚颐雯 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 堆栈 集成电路 系统 及其 制造 方法 | ||
1.一种集成电路封装系统的制造方法,包括以下步骤:
形成顶部封装,包含:
提供具有硅通孔的硅通孔插入件,
将堆栈集成电路裸片耦合至该硅通孔,以及
测试该顶部封装;
形成基部封装,包含:
提供衬底,
将基部集成电路裸片耦合至该衬底,以及
测试该基部封装;以及
在该顶部封装与该基部封装之间耦合堆栈互连。
2.如权利要求1所述的方法,进一步包括在该堆栈集成电路裸片与该硅通孔插入件上形成模塑化合物的步骤。
3.如权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:
形成包含该堆栈集成电路裸片的堆栈集成封装;以及
在该堆栈集成封装与该硅通孔插入件之间耦合电性互连。
4.如权利要求1所述的方法,其中,形成该顶部封装的步骤包含:
通过插入件互连将附加硅通孔插入件耦合至该硅通孔插入件的步骤;以及
在该硅通孔插入件、该附加硅通孔插入件以及该插入件互连上形成模塑化合物的步骤,该步骤包含留下外露的该硅通孔插入件的背面。
5.如权利要求1所述的方法,其中,在该顶部封装与该基部封装之间耦合该堆栈互连的步骤包含在该堆栈集成电路裸片、该硅通孔插入件、该基部集成电路裸片或其组合之间形成电性连接。
6.一种集成电路封装系统,包括:
顶部封装,包含:
具有硅通孔的硅通孔插入件,以及
耦合至该硅通孔的堆栈集成电路裸片;
形成基部封装,包含:
衬底,以及
耦合至该衬底的基部集成电路裸片;以及
在该顶部封装与该基部封装之间的堆栈互连。
7.如权利要求6所述的系统,进一步包括形成在该堆栈集成电路裸片与该硅通孔插入件上的模塑化合物。
8.如权利要求6所述的系统,进一步包括:
包含该堆栈集成电路裸片的堆栈集成封装;以及
在该堆栈集成封装与该硅通孔插入件之间的电性互连。
9.如权利要求6所述的系统,其中,该顶部封装包含:
通过插入件互连耦合至该硅通孔插入件的附加硅通孔插入件;以及
在该硅通孔插入件、该附加硅通孔插入件以及该插入件互连上的模塑化合物,其包含外露的该硅通孔插入件的背面。
10.如权利要求6所述的系统,其中,该顶部封装与该基部封装之间的该堆栈互连包含该堆栈集成电路裸片、该硅通孔插入件、该基部集成电路裸片或其组合之间的电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造