[发明专利]高压静电保护器件

权利要求书

1.一种高压静电保护器件，其特征在于，包括一硅控整流器、一第一PNP管，所述硅控整流器、第一PNP管形成在硅衬底的P型外延上；

所述控整流器包括第一高压P阱、第二高压N阱；所述第一高压P阱、第二高压N阱相邻接；

所述第一高压P阱中形成有第一N+扩散区和第一P+扩散区；

所述第二高压N阱中形成有第二N+扩散区和第二P+扩散区；

所述第一PNP管包括一N型埋层，所述N型埋层中形成有一低压N阱，所述低压N阱中形成有所述第一PNP管的基极、发射极、集电极；

所述第一PNP管的基极、发射极短接；

所述第一PNP管的集电极同所述第二N+扩散区和第二P+扩散区短接；

所述第一N+扩散区和第一P+扩散区短接，用作接地端。

2.根据权利要求1所述的高压静电保护器件，其特征在于，还包括第二PNP管，所述硅控整流器、第一PNP管、第二PNP管形成在硅衬底的P型外延上，所述第二PNP管与所述第一PNP管同结构；

所述第二PNP管的基极、发射极短接；

所述第二PNP管的集电极同所述第一PNP管的基极、发射极短接。

3.根据权利要求1所述的高压静电保护器件，其特征在于，还包括一第二PMOS管，所述硅控整流器、第一PNP管、第二PMOS管形成在硅衬底的P型外延上，

所述第二PMOS管包括一N型埋层，所述N型埋层中形成有一低压N阱，所述低压N阱中形成有所述第二PMOS管的栅极、源极、漏极；

所述第二PMOS管的栅极、源极及N型埋层短接；

所述第二PMOS管的漏极同所述第一PNP管的基极、发射极短接。

4.根据权利要求1所述的高压静电保护器件，其特征在于，所述硅控整流器、第一PNP管之间的硅衬底的P型外延上形成有隔离高压P阱，所述隔离高压P阱将所述硅控整流器同所述第一PNP管隔离。

5.根据权利要求4所述的高压静电保护器件，其特征在于，所述隔离高压P阱一端同所述硅控整流器的第二高压N阱相邻接，另一端同所述第一PNP管的N型埋层相邻接，将所述硅控整流器同所述第一PNP管隔离。

6.一种高压静电保护器件，其特征在于，包括一硅控整流器、一第一PMOS管，所述硅控整流器、第一PMOS管形成在硅衬底的P型外延上；

所述控整流器包括第一高压P阱、第二高压N阱；所述第一高压P阱、第二高压N阱相邻接；

所述第一高压P阱中形成有第一N+扩散区和第一P+扩散区；

所述第二高压N阱中形成有第二N+扩散区和第二P+扩散区；

所述第一PMOS管包括一N型埋层，所述N型埋层中形成有一低压N阱，所述低压N阱中形成有所述第一PMOS管的栅极、源极、漏极；

所述第一PMOS管的栅极、源极及N型埋层短接；

所述第一PMOS管的漏极同所述第二N+扩散区和第二P+扩散区短接；

所述第一N+扩散区和第一P+扩散区短接，用作接地端。

7.根据权利要求6所述的高压静电保护器件，其特征在于，还包括第二PNP管，所述硅控整流器、第一PMOS管、第二PNP管形成在硅衬底的P型外延上；

所述第二PNP管包括一N型埋层，所述N型埋层中形成有一低压N阱，所述低压N阱中形成有所述第二PNP管的基极、发射极、集电极；

所述第二PNP管的基极、发射极短接；

所述第二PNP管的集电极同所述第一PMOS管的栅极、源极及N型埋层短接。

8.根据权利要求6所述的高压静电保护器件，其特征在于，还包括一第二PMOS管，所述硅控整流器、第一PMOS管、第二PMOS管形成在硅衬底的P型外延上，所述第二PMOS管与所述第一PMOS管同结构；

所述第二PMOS管的栅极、源极及N型埋层短接；

所述第二PMOS管的漏极同所述第一PMOS管的栅极、源极及N型埋层短接。

9.根据权利要求6所述的高压静电保护器件，其特征在于，所述硅控整流器、第一PMOS管之间的硅衬底的P型外延上形成有隔离高压P阱，所述隔离高压P阱将所述硅控整流器同所述第一PMOS管隔离。

10.根据权利要求9所述的高压静电保护器件，其特征在于，所述隔离高压P阱一端同所述硅控整流器的第二高压N阱相邻接，另一端同所述第一PMOS管的N型埋层相邻接，将所述硅控整流器同所述第一PMOS管隔离。