[发明专利]平面构型有机红外或紫外光伏半导体探测器

权利要求书

1.一种平面构型有机红外光伏半导体探测器包括：衬底（1），有机红外半导体（2）、低功函电极（3、4）、以及高功函电极（3、4），其特征在于低功函电极和高功函电极位于同一平面。

2.一种平面构型有机紫外光伏半导体探测器包括：衬底（1），有机紫外半导体（2）、低功函电极（3、4）、以及高功函电极（3、4），其特征在于低功函电极和高功函电极位于同一平面。

3.如权利要求1或者2所述的平面构型有机红外或者紫外光伏半导体探测器，其特征在于所说的高功函电极和低功函电极在同一平面构成环形或叉指型或螺旋型或条形或蛇形。

4.如权利要求1或者2所述的平面构型有机红外或者紫外光伏半导体探测器，其特征在于所说的衬底（1）包括Si基衬底；非晶玻璃、石英衬底；多晶陶瓷衬底以及柔性塑料衬底。

5.如权利要求1所述的平面构型有机红外光伏半导体探测器，其特征在于所说的有机红外半导体（2）包括酞菁铒、酞菁钆等对近红外光有光电响应的具有三明治结构的酞菁稀土、双硫醇烯铂、石墨稀、氧化石墨烯等对红外光有光电响应的材料。

6.如权利要求2所述的平面构型有机紫外光伏半导体探测器，其特征在于所说有机紫外半导体层（2）包括：蒽、菲、芴及以它们为母体的衍生物或以它们及它们的衍生物为单体的聚合物。

7.如权利要求1或者2所述的平面构型有机红外或者紫外光伏半导体探测器，其特征在于所说的有机红外半导体或有机紫外半导体材料（2）包括施主掺杂或受主掺杂的有机半导体材料。

8.如权利要求1或者2所述的平面构型有机红外或者紫外光伏半导体探测器，其特征在于所说的低功函电极（3、4）包括Na，Ag，Mg，Al，Zn，Ti，Cd，Ca， K， Li，U，In，Cs，Gd，Hf，La，Mn，Nb，Pb，V，Zr电极，以及由它们组合形成的单层或多层合金金属电极。

9.如权利要求1或者2所述的平面构型有机红外或者紫外光伏半导体探测器，其特征在于所说的高功函顶电极材料（3、4）包括Au，Cu，Cr，Ni，Co，C，Si， Pd,  Pt， Se， ITO，AZO，Fe，Ir，Os，以及由它们组合形成的复合材料。

10.一种制备权利要求1或者2所述的平面构型有机红外或者紫外光伏半导体探测器的方法，其特征在于所说的电极可以用热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、电子束蒸发单独技术或组合技术制备。