[发明专利]发光二极管的封装结构与封装工艺无效

专利信息
申请号: 201010293390.8 申请日: 2010-09-26
公开(公告)号: CN101937966A 公开(公告)日: 2011-01-05
发明(设计)人: 郑铉洙;李善九;朴隆植;李贤一 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陶凤波
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 工艺
【说明书】:

技术领域

发明是涉及一种光源结构及其制作方法,且特别是涉及一种发光二极管的封装结构以及封装工艺。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)由于具有高亮度、反应速度快、体积小、污染低、高可靠度、适合量产等优点,因此发光二极管在照明领域或是消费性电子产品的开发应用亦将越来越多。目前已将发光二极管广泛地应用在大型看板、交通信号灯、手机、扫描器、传真机的光源以及照明装置等。基于上述可知,发光二极管的发光效率以及亮度需求将会越来越受到重视,所以高亮度发光二极管的研究开发将是固态照明应用上的重要课题。

发光二极管已经在某些应用领域中取代荧光灯与白炽灯,而作为例如需求高速反应的扫描器灯源、投影装置的灯源、液晶显示器的背光源或前光源,汽车仪表板上的照明灯源,交通信号灯的光源以及一般照明装置的灯源等等。相较于传统灯管,发光二极管具有例如体积较小、使用寿命较长、驱动电压/电流较低、结构强度较高、无汞污染以及高发光效率(节能)等显著优势。

图1为一种传统的白光发光二极管封装结构的剖面图。如图1所示,在此传统的发光二极管封装结构100中,发光二极管芯片110接合至载具120的凹陷122的底面122a。由发光二极管芯片110发出的部分光线152会被分布在树脂140内的荧光粒子130转换,而输出白光154。然而,由于在树脂140内由发光二极管芯片110出射的光对应于不同的出射角(如θ1、θ2),其光路径(如L1、L2)的长度不同,因而会产生色差现象(chromatic aberration),如颜色偏黄(yellowish)等问题。如此一来,白光发光二极管封装结构100的出光效果会变差,而输出光的颜色也不均匀。

另外,已知亦提出一种发光二极管封装结构,其具有采用晶片级工艺形成的荧光披覆层。此荧光披覆层共形并全面覆盖发光二极管芯片以及载具,以输出均匀的白光。然而,由于此种荧光披覆层需要进行晶片级的涂布来形成,因而制作成本较高。

发明内容

本发明提供一种发光二极管封装结构,其可提供均匀的出光,且具有高出光效率以及低制作成本。

本发明还提供一种制作上述发光二极管封装结构的封装工艺。

在本发明的实施例中,发光二极管封装结构包括载具、间隔物、至少一发光二极管芯片、接面涂层、多个荧光颗粒以及封胶。间隔物配置于载具上,其中间隔物的顶面具有反射层。发光二极管芯片配置于反射层上并且电性连接至载具。接面涂层配置于间隔物上并且覆盖发光二极管芯片。荧光颗粒分布于接面涂层内。封胶配置于载具上并且包封发光二极管芯片、间隔物以及接面涂层。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1为一种传统的白光发光二极管封装结构的剖面图。

图2A与2B为依据本发明的实施例的一种发光二极管封装结构的剖面图。

图3为依据本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面图。

图4为依据本发明的又一实施例的一种发光二极管封装结构的剖面图。

图5为依据本发明的实施例的一种发光二极管封装工艺的流程图。

附图标记说明

100:发光二极管封装结构

110:发光二极管芯片

120:载具

122:载具的凹陷

122a:凹陷的底面

130:荧光粒子

140:树脂

152:光线

154:白光

θ1、θ2:出射角

L1、L2:光路径

200:发光二极管封装结构

210:载具

210a:载具的顶面

212:间隔物的凹陷

214:接合垫

220:间隔物

220a:间隔物的顶面

222:反射层

230:发光二极管芯片

230a:发光二极管芯片的顶面

232:第一电极

234:第二电极

232’:顶电极

234’:底电极

240:接面涂层

250:荧光粒子

260:封胶

260a:封胶的顶面

292、292’:第一焊线

294、294’:第二焊线

300:发光二极管封装结构

360:封胶

400:发光二极管封装结构

410:载具

具体实施方式

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