[发明专利]一种具有温度自动控制功能的晶片加工机台有效
| 申请号: | 201010289462.1 | 申请日: | 2010-09-21 |
| 公开(公告)号: | CN102412169A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
| 发明(设计)人: | 王浩明 | 申请(专利权)人: | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光辉 |
| 地址: | 215025 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 温度 自动控制 功能 晶片 加工 机台 | ||
技术领域
本发明涉及晶片加工设备,尤其涉及一种具有温度自动控制功能的晶片加工机台。
背景技术
目前,Mattson Strip机台每个反应腔有两套温度系统,分别由watlow温控器和过温温控器来控制。反应腔有两组热电偶来感应温度,软件默认的温度值是watlow温控器对热电偶的读值,反应腔的控温设定也只由watlow温控器来控制。过温温控器只执行过温保护,对反应腔温度无控制功能,也没有低温报警功能。如图1所示,即为该机台目前温度系统的结构示意图,其中带箭头的线路为电源线路,不带箭头的线路为信号线路。
所以在该机台加工晶片的过程中,反应腔实际温度因机台异常而降温时,watlow温控器也因异常而送给机台正常温度值的信号,因此,机台不会升温,不会报警,异常将不被发现。而温度对半导体加工工艺来说是很重要的参数,温度出现异常可能会导致产品异常甚至报废。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有温度自动控制功能的晶片加工机台,它能够监测出机台的温度异常情况并进行报警。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种具有温度自动控制功能的晶片加工机台,包括反应腔,所述反应腔上设置有两个温控器,其中,所述晶片加工机台上还设置有比较器,所述比较器的输入端分别与所述两个温控器相连,所述比较器的输出端与报警器相连。
进一步地,所述两个温控器分别为watlow温控器和过温温控器。
进一步地,所述报警器为所述晶片加工机台的联锁装置。
进一步地,所述晶片加工机台为Mattson Strip机台。
本发明提供的具有温度自动控制功能的晶片加工机台,是将一个反应腔上的两个温控器的温度信号利用比较器进行比较,当温度差值大于设定值时将输出信号来进行报警。因此,本发明能够监测出机台的温度异常情况并进行报警,从而避免产品异常或报废问题的产生。
附图说明
图1为现有技术中Mattson Strip机台上温度系统的结构示意图;
图2为本发明的Mattson Strip机台上温度系统的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下面结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
如图2所示,本发明提供一种具有温度自动控制功能的晶片加工机台,包括反应腔,该反应腔上设置有两个温控器,其中,
所述晶片加工机台上还设置有比较器,所述比较器的输入端分别与所述两个温控器相连,所述比较器的输出端与报警器相连。
本发明的具有温度自动控制功能的晶片加工机台,是将一个反应腔上的两个温控器的温度信号利用比较器进行比较,当温度差值大于设定值时将输出信号来进行报警,使得异常及时发现。因此,本发明能够监测出机台的温度异常情况并进行报警,从而避免产品异常或报废问题的产生。
本发明中,两个温控器可以分别为watlow温控器和过温温控器。而报警器可以优选为晶片加工机台的联锁装置(interlock)。
并且,本发明特别适用于Mattson Strip机台。
如图2所示,本发明是将watlow读取的与温度信号成正比的电压信号和过温温控器读取的与温度信号成正比的电压信号用比较器进行比较,当温度差值大于设定值时将输出信号来进行报警。由于本发明利用了同一反应腔的两个热电偶传感器所检测的温度差,所以不管其温度是过高还是过低都可以检测到,两路温度控制系统同时出同样问题的几率很低。
本发明通过上述温度控制方式的改善,可以有效预防产品大批量异常,达到温度自动侦测控制的目的。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并非用来限定本发明的实施范围;如果不脱离本发明的精神和范围,对本发明进行修改或者等同替换,均应涵盖在本发明权利要求的保护范围当中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





