[发明专利]功率模块有效

专利信息
申请号: 201010287754.1 申请日: 2010-09-17
公开(公告)号: CN102024803A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 中尾淳一;福吉宽 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/498
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 功率 模块
【权利要求书】:

1.一种功率模块,其特征在于,具备:

金属基底;

电极端子,其具有折弯成“コ”型形状的折弯部;

螺母及螺母夹,其被收纳在所述电极端子的折弯部的内侧;

电路基板,其在第1主面上搭载着半导体芯片,所述电极端子的一端与所述半导体芯片电连接,且与所述折弯部分离,通过软钎料接合在所述电极端子的一端上的上部电极设在第1主面上,设在与第1主面对置的第2主面上的下部电极通过软钎料与所述金属基底接合;

外壳,其被设置成下端部与所述金属基底的端部相接,上部与所述电极端子的折弯部的外侧面相接,并与所述电路基板分离,且覆盖所述电路基板。

2.一种功率模块,其特征在于,具备:

金属基底;

电极端子,具有折弯成“コ”型形状的折弯部;

螺母及螺母夹,其被收纳在所述电极端子的折弯部的内侧;

电路基板,其具有上部电极、陶瓷基板及下部电极,半导体芯片搭载在第1主面上,与所述折弯部分离的所述电极端子的一端通过软钎料与所述上部电极接合,与所述折弯部分离的所述电极端子的一端与所述半导体芯片电连接,设在与第1主面对置的第2主面上的下部电极通过软钎料与所述金属基底接合;

有机硅凝胶,其被设置为覆盖所述金属基底的第1主面和所述电路基板的第1主面及侧面;

树脂外壳,其被设置成下端部与所述金属基底的端部及所述有机硅凝胶的端部相接,上部与所述电极端子的折弯部的外侧面相接,并覆盖所述有机硅凝胶;

空隙部,其被设置在所述树脂外壳与所述有机硅凝胶之间。

3.根据权利要求2所述的功率模块,其特征在于:所述陶瓷基板含有氮化铝、氧化铝、氮化硅或碳化硅。

4.根据权利要求1~3中的任一项所述的功率模块,其中,所述金属基底含有铜、铝、镍、碳化铝硅或钼。

5.根据权利要求1~4中的任一项所述的功率模块,其中,与所述折弯部分离的所述电极端子的一端及另一端通过软钎料与所述上部电极接合。

6.一种功率模块,其特征在于,具备:

金属基底;

陶瓷基板,其具有第1主面和与所述第1主面对置的第2主面,在所述第2主面经由下部电极连接在所述金属基底的上表面上;

半导体芯片,其被配置在所述陶瓷基板的所述第1主面上;

内包螺母的螺母夹;

电极端子,其具有从一端朝另一端围住所述螺母夹的外周、且内部具备所述螺母夹的折弯部,具有从所述折弯部的所述一端向与所述折弯部垂直的方向延伸的第1连接部,所述第1连接部经由上部电极被配置在所述陶瓷基板的所述第1主面上,且与所述半导体芯片电连接;

外壳,其具有带开口部的上板和从所述上板的边缘向下方延伸的环状的侧板,在所述侧板的与上板相反侧的端部接合在所述金属基底的第1主面的外周端部,内部内包所述半导体芯片和所述电极端子;

其中,所述电极端子的所述折弯部的上端部经由所述开口部在外壳的外部露出。

7.根据权利要求6所述的功率模块,其特征在于:在所述外壳的所述上板的所述开口部中插入有所述电极端子的折弯部。

8.根据权利要求7所述的功率模块,其特征在于:所述半导体芯片和所述电极端子通过用压焊丝接合所述上部电极和所述半导体芯片而进行电连接。

9.根据权利要求7所述的功率模块,其特征在于:所述电极端子的所述第1连接部和所述上部电极通过软钎料被接合在一起。

10.根据权利要求9所述的功率模块,其特征在于:具备有机硅凝胶,所述有机硅凝胶覆盖所述金属基底的上表面、所述陶瓷基板的所述第1主面和所述半导体芯片的表面,包括所述电极端子的所述第1连接部在内,与所述外壳的侧板的内侧接合在一起。

11.根据权利要求10所述的功率模块,其特征在于:在所述外壳的所述上板的下表面与所述有机硅凝胶之间存在空隙。

12.根据权利要求11所述的功率模块,其特征在于:所述空隙中填充有环氧树脂。

13.根据权利要求7所述的功率模块,其特征在于:所述金属基底以铜、铜合金、铝、镍、碳化铝硅、钼中的任一种作为材料。

14.根据权利要求7所述的功率模块,其特征在于:所述外壳含有聚苯硫醚或不饱和聚酯系树脂。

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