[发明专利]一种发光二极管无效
| 申请号： | 201010285057.2 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101969091A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 李鸿建;杨新民;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，包括单晶硅衬底，以及在单晶硅衬底上依次形成的过渡层、第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层、第二类型接触层、第二电极和设置在第一类型半导体层上的第一电极，其特征在于，在所述单晶硅衬底和过渡层之间设置有由氮化镓、蓝宝石、碳化硅材料中的一种或者一种以上的组合形成的缓冲层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述缓冲层的形状为平面、三角面、凸面或者凹面。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述缓冲层的形状是利用干法刻蚀或者湿法刻蚀形成的。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述单晶硅衬底与所述缓冲层接触面的形状为平面、三角面、凸面或者凹面。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述缓冲层通过蒸镀、金属有机化学气相沉积或等离子体化学气相沉积形成。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述缓冲层由折射率不同的多层材料交替组成，多层材料由硅、二氧化硅、氮化硅、二氧化钛、氧化锌、氮化镓、蓝宝石、碳化硅材料中的两种或者两种以上的组合形成，其中紧临过渡层的缓冲层材料为氮化镓、蓝宝石、碳化硅材料中的一种。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述衬底底面设置有反射层。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一类型半导体为N型半导体、第一电极为N型电极；所述第二类型半导体为P型半导体、第二电极为P型电极。
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