[发明专利]发光器件、系统和封装

说明书

技术领域

本文所述的一个或者更多个实施方案涉及发光，更具有涉及发光器件、系统和封装。

背景技术

发光器件(LED)将电信号转化为光。因为LED的尺寸、功率效率和通用性，因此发现LED适于各种应用。然而，它们仍存在不足。

发明内容

根据本发明的一个实施方案，提供一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括均沿第一方向形成的第一半导体层、有源层和第二半导体层，并且所述有源层设置在所述第二半导体层和所述第一半导体层之间；与所述第一半导体层邻接并且具有第一设定宽度的第一电极；绝缘体，所述绝缘体从所述第二半导体层沿第二方向延伸穿过所述有源层至所述第一半导体层并且具有第二设定宽度；以及包括与所述第二半导体层邻接的层的第二电极，其中所述第二电极层具有大于所述第一设定宽度和所述第二设定宽度的第三设定宽度，并且其中所述第一电极和所述绝缘体沿不同于所述第一方向的所述第二方向彼此交叠。

根据本发明的一个实施方案，提供一种发光器件封装，包括：根据本发明的发光器件；在其上设置所述发光器件的封装体；和与所述发光器件和所述封装体电连接的至少一个电极层。

根据本发明的一个实施方案，提供一种照明系统，包括根据本发明的发光器件封装。

附图说明

图1是显示发光器件的一个实施方案的图。

图2～5是显示通过制造发光器件方法的一个实施方案获得的不同阶段的图。

图6是发光器件封装的一个实施方案的图。

图7是发光器件封装的另一实施方案的图。

图8是发光器件封装的一个实施方案的图。

图9是显示照明单元的一个实施方案的图。

图10是显示背光单元的一个实施方案的图。

具体实施方式

图1显示发光器件100的一个实施方案，所述发光器件100包括：具有第二导电型的半导体层130、有源层120和第一导电型的半导体层110的发光结构、以及在通过移除部分发光结构所限定的腔C(图3)上形成的绝缘层140。器件100还包括在第二导电型半导体层130上的第二电极层150。

提供绝缘层以控制器件中电流的流动(例如，流动速率和/或流量)，由此提供具有改善的光提取效率的LED。而且，可引起电流扩散，以由此提高LED的可靠性。

图2～5显示通过制造LED的方法的一个实施方案获得的不同阶段，所述LED例如可为图1中所示的LED。

首先，如图2所示，准备第一衬底105。第一衬底105可为或者可包括导电衬底或者绝缘衬底。例如，第一衬底105可由包括蓝宝石(Al₂O₃)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge或者Ga₂O₃中至少之一的材料制成。在第一衬底105的上表面中可形成不规则结构，但是本文公开的实施方案不限于这种结构。可对第一衬底105实施湿蚀刻以移除第一衬底105的表面的杂质。

在第一衬底105上可形成缓冲层(未显示)。缓冲层可缓冲构成发光结构和第一衬底105的材料之间的晶格失配。例如，缓冲层可由III-V族化合物半导体例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN或者AlInN中的至少之一形成。在缓冲层上可形成未掺杂的半导体层(未显示)，但是本文所述的实施方案不是必需包括这种未掺杂的层。

然后，在第一衬底105上形成第一导电型半导体层110。第一导电型半导体层110可通过掺杂有第一导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体来实现。在第一导电型半导体层110是N型半导体层的情况下，第一导电型掺杂剂是N型掺杂剂，其可包括Si、Ge、Sn、Se和/或Te作为N型掺杂剂。在其它实施方案中，可使用不同类型的掺杂剂或者不同的掺杂剂材料。

第一导电型半导体层110可通过使用例如化学气相沉积(CVD)、分子束外延(MBE)、溅射或者氢化物气相外延(HVPE)形成。而且，第一导电型半导体层110可通过注入三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH₃)、氮气(N₂)和/或包括n型杂质例如硅(Si)的硅烷(SiH₄)气体形成。

此外，第一导电型半导体层110可由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP或者InP中的至少之一形成。