[发明专利]发光器件、系统和封装无效

专利信息
申请号: 201010280366.0 申请日: 2010-09-09
公开(公告)号: CN102024895A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 黄盛珉 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;F21S2/00;F21Y101/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 蔡胜有;吴鹏章
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 系统 封装
【权利要求书】:

1.一种发光器件,包括:

发光结构,所述发光结构包括均沿第一方向形成的第一半导体层、有源层和第二半导体层,并且所述有源层设置在所述第二半导体层和所述第一半导体层之间;

与所述第一半导体层邻接并且具有第一设定宽度的第一电极;

绝缘体,所述绝缘体从所述第二半导体层沿第二方向延伸穿过所述有源层至所述第一半导体层并且具有第二设定宽度;以及

包括与所述第二半导体层邻接的层的第二电极,

其中所述第二电极层具有大于所述第一设定宽度和所述第二设定宽度的第三设定宽度,并且其中所述第一电极和所述绝缘体沿不同于所述第一方向的所述第二方向彼此交叠。

2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一宽度和所述第二宽度基本相等,并且其中所述第一电极和所述绝缘体沿着所述第二方向对齐。

3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第二电极层与所述第一电极和所述绝缘体沿着所述第二方向交叠。

4.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第二电极层包括延伸到腔中的电极部,其中所述绝缘体延伸到所述腔中,所述腔沿着所述第二方向形成。

5.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述绝缘体与所述第二半导体层接触。

6.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述绝缘体沿所述第二方向部分延伸到所述第一半导体层中。

7.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述绝缘体延伸入所述第一半导体层中的绝缘体的全部表面与所述第一半导体层接触。

8.根据权利要求1所述的发光器件,其中包括在所述绝缘体和所述第一半导体层之间的表面界面的全部的表面界面彼此直接接触。

9.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述绝缘体延伸到形成于所述第一半导体层中的凹陷中,并且其中所述绝缘体与所述凹陷的全部表面接触。

10.根据权利要求1所述的发光器件,其中:所述绝缘体延伸到穿过所述有源层和至少部分穿过所述第一半导体层和所述第二半导体层的腔中。

11.根据权利要求10所述的发光器件,其中所述腔具有对应于所述绝缘体的所述第二设定宽度的基本恒定的宽度。

12.根据权利要求10所述的发光器件,其中所述腔具有对应于所述绝缘体的逐渐变小的侧面的逐渐变小的宽度。

13.根据权利要求12所述的发光器件,其中与所述第二电极层邻接的所述绝缘体和所述腔的表面宽于延伸到所述第一半导体层中的所述绝缘体和所述腔的表面。

14.根据权利要求1所述的发光器件,还包括:与所述绝缘层和所述第二半导体层邻接的反射层,和

与所述反射层邻接的导电支撑衬底。

15.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述绝缘体减少或者阻挡沿着所述第二方向的电流流动。

16.根据权利要求1所述的发光器件,其中流过所述绝缘体的电流小于流过所述第二半导体层的电流。

17.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一方向是水平的,所述第二方向是垂直的。

18.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第三设定宽度大于所述第二设定宽度,所述第二设定宽度大于所述第一设定宽度。

19.一种发光器件封装,包括:

根据权利要求1所述的发光器件;

其上设置所述发光器件的封装体;和

与所述发光器件和所述封装体电连接的至少一个电极层。

20.一种照明系统,包括根据权利要求19所述的发光器件封装。

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