[发明专利]包含一水合氧化铝的环氧树脂组合物有效
申请号: | 201010269969.0 | 申请日: | 2010-09-01 |
公开(公告)号: | CN102382422A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 王善学;李刚;卢绪奎;包昀鑫;王冰冰;李海亮;蔺力 | 申请(专利权)人: | 北京科化新材料科技有限公司;北京首科化微电子有限公司 |
主分类号: | C08L63/02 | 分类号: | C08L63/02;C08L63/04;C08L63/00;C08L61/08;C08L61/12;C08K13/02;C08K3/36;C08K3/22;H01L23/29 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 李柏 |
地址: | 100190 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 水合 氧化铝 环氧树脂 组合 | ||
技术领域
本发明涉及半导体封装用树脂,特别涉及到一种可以提高环氧树脂组合物成型材料耐焊性的包含一水合氧化铝(分子式AlOOH)的环氧树脂组合物。
背景技术
近年来,由于环保要求,半导体集成电路或分立器件在安装时使用的焊料正在推行“无铅化”,与此相应的焊接红外回流温度变高,要求封装材料具备更高的耐焊性;同时,传统的半导体封装用环氧树脂组合物中溴-锑阻燃体系将不再使用,取而代之的是环保的阻燃技术。
针对上述需求,有使用红磷的方法(见JP特开平9-227765号公报)、使用磷酸酯化合物的方法(见JP特开平9-235449号公报)、使用磷腈化合物的方法(见JP特开平8-225714号公报)、使用金属氢氧化物的方法(见JP特开平9-241483号公报)、配合使用金属氢氧化物和金属化合物的方法(见JP特开平9-100337号公报),也有通过提高无机填料比例的方法(见JP特开平7-82343号公报)、使用自身难燃树脂的方法(见JP特开平11-140277号公报)等。
在上述阻燃技术中,添加无机磷和有机膦系化合物的方法都会降低耐潮性而引起可靠性下降,使用金属氢氧化物会引起流动性和脱模性下降,提高填料比例同样会导致流动性下降的问题。
此外,当在半导体封装材料中添加氢氧化铝作为阻燃剂时,由于氢氧化铝较低的热分解温度,在半导体红外回流焊接过程中氢氧化铝释放出水,结果造成封装体与引线框架分层。而选用氢氧化镁作为阻燃剂时,其耐高温性能可以满足要求,但由于其耐酸性差,当半导体封装成型通过浸泡电镀工序后,封装材料中的氢氧化镁同电镀液中的酸性介质反应而造成材料表面颜色变化。
上述阻燃技术均有待进一步提高,以达到更高的耐焊性。
发明内容
本发明的目的是提供一种可获得耐焊性优良的半导体封装用包含一水合氧化铝的环氧树脂组合物。
本发明的包含一水合氧化铝的环氧树脂组合物的组分及含量为:
环氧树脂 3~14wt%
酚醛树脂 2.5~9wt%
固化促进剂 0.05~0.5wt%
二氧化硅 57~89.5wt%
一水合氧化铝 0.5~21wt%
脱模剂 0.1~1.5wt%
硅烷偶联剂 0.3~1.5wt%。
所述的包含一水合氧化铝的环氧树脂组合物中的一水合氧化铝的含量优选为0.8%~5wt%。
根据需要,本发明的组合物中还可以包含有:填料、阻燃剂、无机离子捕捉剂、着色剂和改性剂中的一种或几种。
所述的填料在组合物中的含量为0~20wt%,填料是氧化铝、氧化钛、氮化硅、氮化铝或它们之间的任意混合物等。
所述的阻燃剂在组合物中的含量为0~8wt%,阻燃剂是硼酸盐、钼酸盐或它们的混合物等。
所述的无机离子捕捉剂在组合物中的含量为0~1wt%,无机离子捕捉剂是氧化铋螯合物等。
所述的着色剂在组合物中的含量为0~1wt%,着色剂是炭黑等。
所述的改性剂在组合物中的含量为0~5wt%,改性剂是液体硅油、硅橡胶或它们的混合物等。
本发明的包含一水合氧化铝的环氧树脂组合物中所使用的环氧树脂为1个环氧分子内有2个以上环氧基团的单体、低聚物或聚合物,其分子量及分子结构无特别限定。上述的环氧树脂可以选自邻甲酚醛环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、线性酚醛环氧树脂、联苯型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、开链脂肪族环氧树脂、脂环族环氧树脂和杂环型环氧树脂等所组成的组中的至少一种。
本发明的包含一水合氧化铝的环氧树脂组合物中所使用的酚醛树脂为1个酚醛分子内有2个以上羟基的单体、低聚物或聚合物,其分子量及分子结构无特别限定。上述的酚醛树脂可以选自苯酚线性酚醛树脂及其衍生物、苯甲酚线性酚醛树脂及其衍生物、单羟基或二羟基萘酚醛树脂及其衍生物、对二甲苯与苯酚或萘酚的缩合物和双环戊二烯与苯酚的共聚物等所组成的组中的至少一种。
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