[发明专利]非晶硅太阳电池组件及其制造方法有效
申请号: | 201010257136.2 | 申请日: | 2010-08-13 |
公开(公告)号: | CN102376807A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 马晓光;何悦;王奇;叶松 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司;尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李湘;李家麟 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非晶硅 太阳电池 组件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种非晶硅太阳电池组件及其制造方法。
背景技术
目前在光电转换技术方面,广泛使用非晶硅太阳电池。由于非晶硅单体电池单元的输出电压较小,使用时还需要将数个单体电池单元串联成组件才能满足实际使用的需要。图1和2示出了现有的非晶硅太阳电池组件。图1为现有的非晶硅太阳电池组件的正视图。图2为图1的非晶硅太阳电池组件的A-A线剖视图。如图2所示,该非晶硅太阳电池组件的非晶硅单体电池单元包括玻璃基板10、TCO膜12(Transparent Conductive Oxide;透明导电膜)、非晶硅层14和BCD(Back Contact;背电极)层16。在非晶硅太阳电池组件制造过程中,通过介质沉积工艺和对应的激光刻划工艺,形成多个串联连接的非晶硅单体电池单元,即形成如图1所示的非晶硅太阳电池组件。
非晶硅的半导体特性决定了非晶硅薄膜太阳电池组件电压比较高,而电流较小。在离网光伏系统中,所使用的储能单元一般是12V的蓄电池,要满足对两个串联的12V蓄电池充电,开路电压为48V的非晶硅太阳电池组件是最合适的,现有技术的非晶硅太阳能电池组件的开路电压通常为96V,无法满足离网光伏系统的蓄电池对充电电压的需求,另外蓄电池需较大的充电电流,开路电压为96V的非晶硅太阳能电池组件也无法满足蓄电池对充电电流的需求。
因此,如何提供一种非晶硅太阳电池组件及其制造技术以满足离网光伏系统对充电电压和充电电流的需求,提高非晶硅太阳电池组件所产生电能的利用效率,已成为业界亟待解决的技术问题。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的之一在于提供一种太阳电池组件及其制造方法,可以满足离网光伏系统对充电电压和充电电流的需求,并可提高非晶硅太阳电池组件所产生电能的利用效率。
本发明提供一种非晶硅太阳电池组件,包括依次层叠的玻璃基板、TCO膜、非晶硅层和BCD层,还包括:贯穿TCO膜、非晶硅层和BCD层且连通的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽,其中第一沟槽横向排布在组件中部且沿组件中心点中心对称,第一沟槽两端均位于组件内,第二和第三沟槽分别纵向连接在第一沟槽的两端且沿组件中心点中心对称,第二和第三沟槽的末端均贯通至组件边缘;第一模块和第二模块,通过第一沟槽隔离且沿组件中心点中心对称,包含相同数量且串联连接的单体电池单元;以及第三模块和第四模块,分别电性连接在第一模块和第二模块上且沿组件中心点中心对称,并分别通过第二沟槽和第三沟槽与第二模块和第一模块隔离,该第三模块和第四模块的BCD层均为一体的。
优选地,在本发明的太阳电池组件中,该第一模块和第二模块的单体电池单元间均通过贯穿非晶硅层和BCD层的激光刻线隔离,该第一沟槽与激光刻线平行。
优选地,在本发明的太阳电池组件中,该第一沟槽横向水平排布在组件中部,该第二沟槽和第三沟槽均与第一沟槽垂直连接。
优选地,在本发明的太阳电池组件中,该第二沟槽和第三沟槽分别位于第一沟槽的左上侧和右下侧,该第一模块和第二模块分别位于组件的左下侧和右上侧,该第三模块和第四模块分别位于组件的左上侧和右下侧。
优选地,在本发明的太阳电池组件中,该第二沟槽和第三沟槽分别位于第一沟槽的左下侧和右上侧,该第一模块和第二模块分别位于组件的左上侧和右下侧,该第三模块和第四模块分别位于组件的左下侧和右上侧。
优选地,在本发明的太阳电池组件中,第一模块的面积大于第四模块的面积。
本发明提供一种制造太阳电池组件的方法,包括步骤:提供玻璃基板;在玻璃基板上形成TCO膜;对TCO膜进行第一道激光刻划;沉积非晶硅层;对非晶硅层进行第二道激光刻划;沉积BCD层;对第一模块和第二模块对应的非晶硅层和BCD层进行第三道激光刻划;对BCD层、非晶硅层、TCO膜进行第四道激光刻划形成连通的第一、第二和第三沟槽。
优选地,在本发明的方法中,第一沟槽平行于第三道激光刻划所形成的激光刻线。
优选地,在本发明的方法中,该第一沟槽横向水平形成在组件中部,第二沟槽和第三沟槽均与第一沟槽垂直连接。
优选地,在本发明的方法中,该第二沟槽和第三沟槽分别形成在第一沟槽的左上侧和右下侧。
优选地,该第二沟槽和第三沟槽分别形成在第一沟槽的左下侧和右上侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的