[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供临时载体；

利用面向所述临时载体的多个第一接触焊盘安装第一半导体管芯；

在第一半导体管芯和临时载体上沉积第一密封剂；

除去所述临时载体；

在第一密封剂的第一表面和第一半导体管芯上形成第一互连结构，第一互连结构被电连接到第一半导体管芯的多个第一接触焊盘；

在第一互连结构上形成多个第一导电柱；

利用面向第一互连结构的多个第二接触焊盘在所述第一导电柱之间安装第二半导体管芯；

在第二半导体管芯和第一互连结构上沉积第二密封剂；以及

在第二密封剂上形成第二互连结构，第二互连结构被电连接到所述第一导电柱以及第一和第二半导体管芯的所述第一和第二接触焊盘。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成第一密封剂之前在所述临时载体上形成多个第二导电柱；以及

在与第一密封剂的第一表面相对的第一密封剂的第二表面上形成第三互连结构，第三互连结构被电连接到所述第二导电柱和第一互连结构。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成第二互连结构包括：

在第二密封剂上形成导电层；以及

在导电层和所述第一导电柱上形成凸块。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一导电柱从第二密封剂伸出。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一导电柱相对于第二半导体管芯上的第二密封剂的一部分凹进。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包括平面化第一密封剂以暴露与所述第一接触焊盘相对的第一半导体管芯的后表面。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括平面化第二密封剂以暴露与所述第二接触焊盘相对的第二半导体管芯的后表面。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供第一半导体部件；

在第一半导体部件上沉积第一密封剂；

在第一密封剂的第一表面和第一半导体部件上形成第一互连结构，第一互连结构被电连接到第一半导体部件；

将第二半导体部件安装到第一互连结构；

在第二半导体部件和第一互连结构上沉积第二密封剂；以及

在第二密封剂上形成第二互连结构，第二互连结构被电连接到多个第一导电柱以及第一和第二半导体部件。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括：

在形成第二密封剂之前在第一互连结构上形成多个导电柱；以及

在第二半导体部件和第一互连结构上以及在所述导电柱周围沉积第二密封剂。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述导电柱从第二密封剂伸出。

11.如权利要求8所述的方法，进一步包括形成通过第二密封剂的导电通路。

12.如权利要求8所述的方法，进一步包括：

在形成第一密封剂之前形成邻近第一半导体部件的多个导电柱；以及

在与第一密封剂的第一表面相对的第一密封剂的第二表面上形成第三互连结构，第三互连结构被电连接到所述导电柱和第一互连结构。

13.如权利要求8所述的方法，其中形成第二互连结构包括：

在第一密封剂的第二表面上形成导电层；以及

在所述导电层上形成多个凸块。

14.如权利要求8所述的方法，进一步包括在第一半导体部件或第二半导体部件上形成屏蔽层。

15.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供第一半导体部件；

在第一半导体部件上沉积第一密封剂；

在第一密封剂的第一表面和第一半导体部件上形成第一互连结构，第一互连结构被电连接到第一半导体部件；

将第二半导体部件安装到第一互连结构；

在第二半导体部件和第一互连结构上沉积第二密封剂；以及

在第二密封剂上形成第二互连结构，第二互连结构被电连接到第一和第二半导体部件。