[发明专利]选择性发射极太阳能电池的制造工艺及结构

权利要求书

1.一种选择性发射极太阳能电池的制造工艺，其工艺步骤为：

一、对晶体硅太阳能电池进行扩散：将硅片清洗制绒，通过气流比和温度的控制对硅片进行POCL₃气体的扩散，再将硅片放入5％的HF溶液中进行浸泡，去除硅片表面的氧化膜；

二、对晶体硅太阳能电池的发射极掩膜进行制备：准备好与发射极网板相匹配的掩膜板，并固定到PECVD机台石墨框上，进行PECVD镀膜，对需要镀膜的地方镀上膜厚和折射率都合理的氮化硅膜；

三、对完成上述2个工序的晶体硅太阳能电池进行选择性腐蚀：将晶体硅太阳能电池放入HF、HNO₃、H₂SO₄的混合溶液中，去除硅片四周的N型层，使得太阳能电池P型层和N型层相对绝缘，再用常温下的低浓度碱或者氨水和双氧水的混合液对硅片的表面进行清洗，选择性地微腐蚀掉表面的发射极，然后通过5％的HF漂洗硅片，去除硅片表面氧化硅掩膜的残留；

四、对完成上述3个工序的晶体硅太阳能电池的后处理过程：在硅片表面进行PECVD镀膜，然后进行印刷、烧结并进行测试，形成完整的电池。

2.一种选择性发射极太阳能电池，具有细栅线(1)，其特征在于：所述的发射极电池还具有与细栅线(1)垂直设置的重掺杂横条(2)，细栅线(1)与重掺杂横条(2)将电池分为重掺杂区域(3)和轻掺杂区域(4)。