[发明专利]大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法有效
| 申请号： | 201010235859.2 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101905857A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 杨晋玲;刘云飞;解婧;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大规模 防止 mems 器件 结构 材料 电化学 腐蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，其特征在于，该方法是利用光刻胶这种高分子材料来阻断器件的结构层材料与贵金属在HF基腐蚀液中形成原电池的电学通路，具体包括：
在SiO2层的湿法腐蚀之前，在器件表面旋涂一层光刻胶，使其完全覆盖贵金属层表面。
2.根据权利要求1所述的大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，其特征在于，所述光刻胶不溶于HF基腐蚀液，并能在HF基腐蚀液中附着于器件表面不脱落至少60分钟。
3.根据权利要求1所述的大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，其特征在于，该方法在旋涂光刻胶时，进一步包括：
控制光刻胶的坚膜条件，采用缓慢升温和自然冷却的烘胶过程，提高光刻胶的致密性。
4.根据权利要求1所述的大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，其特征在于，该方法在旋涂光刻胶后进一步包括：
通过光刻在光刻胶上定义出腐蚀孔，通过该腐蚀孔使HF基腐蚀液流入而直接接触SiO2层。
5.根据权利要求1所述的大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，其特征在于，在SiO2湿法腐蚀结束后，该方法进一步包括：
去除光刻胶，获得被保护的MEMS器件结构。
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