[发明专利]一种金属化共用离子注入窗口的碲镉汞光伏探测芯片

权利要求书

1.一种电极金属化共用离子注入窗口的离子注入n⁺-on-p型碲镉汞红外光伏探测芯片，它包括：红外衬底(1)、光敏感元的p型有源区(2)、光敏感元的n型区(3)、探测芯片的钝化膜(4)、离子注入窗口(5)、n型区表面上的光敏感元电极(6)、p型区表面的公共电极(7)和与读出电路混成互连的铟柱列阵(8)；由硼离子注入形成的光敏感元的n型区列阵(3)与光敏感元的p型有源区(2)共同形成红外光伏探测芯片的光电二极管列阵；其特征在于：

n型区表面上的光敏感元电极(6)的金属化开口与形成n⁺-on-p光电二极管n区(3)共用离子注入窗口(5)；光敏感元电极(6)与离子注入窗口(5)是大小相等且中心法线重合的；光敏感元电极(6)的金属化膜厚度为100-500nm，横向尺寸为5-15μm×5-15μm；离子注入窗口(5)的厚度为50-150nm。