[发明专利]一种倒台型脊波导半导体激光器的制作方法

权利要求书

1.一种倒台型脊波导半导体激光器的制作方法，其特征在于具体步骤如下：

1)在N型磷化铟衬底上，依次生长InP缓冲层，下分别限制层，多量子阱层，上分别限制层，p型磷化铟薄层、p型铟镓砷磷选择化学腐蚀停止层、p型磷化铟覆盖层和p+铟镓砷电极层，制作出外延激光器结构，

2)利用等离子体化学气相沉积技术在外延片表面生长SiO₂掩膜层，然后利用反应离子刻蚀技术刻蚀SiO₂两条沟，一条为直条状，一条为侧立的“凸”字形，再利用RIE刻蚀掉沟表面的InGaAs接触层，

3)采用两步化学腐蚀法将脊条腐蚀为倒台形状，

第一步化学腐蚀将沟道腐蚀成侧壁垂直的沟道图形，腐蚀液为HCl·H3PO4溶液，HCl∶H₃PO₄的体积比为1∶3，在包括脊条在内的沟道以外的表面涂覆光刻胶，接着采用第二步化学腐蚀，腐蚀液为HBr·H₃PO₄溶液，HBr∶H₃PO₄的体积比为1∶1，将脊条11腐蚀成倒台型脊波导结构，脊侧壁以外的沟道侧壁为垂直形状，

4)利用20％的KOH溶液去掉外延片表面光刻胶及利用10％的HF溶液腐蚀去掉表面的SiO₂掩膜层，然后在腐蚀部分用等离子体化学气相沉积技术生长300nm的SiO₂层，并用反应离子刻蚀去掉脊条上的SiO₂，随后采用光敏性苯并环丁烯树脂平面化工艺，在外延片表面涂覆光敏性BCB16，其中脊条上的BCB厚度为3.5微米，接着采用欠曝光光刻工艺将脊上的BCB厚度去掉1.5微米，然后利用反应离子刻蚀技术，去掉脊上剩余的BCB，

5)利用电极图形光刻版制作出电极图形，采用带胶剥离技术制作P面电极，然后将衬底减薄至110μm，做N面电极，最后将外延片解成Bar条在端面镀光学膜。

2.根据权利要求1所述的一种倒台型脊波导半导体激光器的制作方法，其特征在于应变多量子阱层(4)有9对量子阱，阱宽5nm，1％压应变，垒宽8.5nm，0.5％张应变，多量子阱PL波长1283nm，p型InP层(6)厚70nm，p型InGaAsP选择性化学腐蚀停止层(7)厚20nm，p型InP上覆盖层(8)厚1.5微米，高掺杂p型铟镓砷(InGaAs)接触层(9)厚0.1微米。

3.根据权利要求1所述的一种倒台型脊波导半导体激光器的制作方法，其特征在于两条沟道间的脊条(11)宽度为3.5-5μm，直条状沟道(12)为平行于脊条的直条形状，宽度为5-30μm，侧立的“凸”字形沟道(13)底宽10-40μm、底长200-400μm、凸头宽40-120μm、凸头长60-200μm。