[发明专利]平板显示装置及其制造方法

说明书

相关申请

本申请要求2009年10月21日递交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2009-0100197的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的方面涉及平板显示装置及其制造方法，更具体地涉及能够显示图像和平板显示装置及其制造方法。

背景技术

平板显示装置，例如使用液晶的电光特性的液晶显示装置和使用有机发光二极管的自发射特性的有机发光显示装置，被划分为无源矩阵型和有源矩阵型。包括薄膜晶体管的有源矩阵型具有极佳的分辨率和活动画面实现能力。因此，较之无源矩阵型，有源矩阵型经常被使用。

有源矩阵型液晶显示装置(TFT-LCD)包括具有在两个基板之间注入的液晶的显示面板、用作位于显示面板的后部的光源的背光灯，以及用于驱动显示面板的驱动集成电路(IC)。从背光灯产生的光入射到显示面板上，受到根据驱动IC所产生的信号而定向的液晶调制，然后被发射到显示面板的外部，从而显示字符或图像。

发明内容

一个方面在于一种具有提高的透光率的平板显示装置及其制造方法。

另一个方面在于一种平板显示装置，包括：第一基板；形成在所述第一基板上的薄膜晶体管(TFT)；形成在所述第一基板与所述TFT之间以与所述TFT垂直对应的阻挡层；形成在具有所述TFT的所述第一基板上的平坦化层，所述平坦化层中具有形成于其中的通孔，使得TFT的源极或漏极通过所述通孔被暴露；形成在所述平坦化层上以被连接至所述源极或漏极的像素电极；与所述第一基板相对布置的第二基板；形成在所述第二基板上的共用电极；以及注入所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层。

再一方面在于一种平板显示装置，包括形成在第一基板上的TFT；形成在所述第一基板与所述TFT之间以与所述TFT垂直对应的阻挡层；形成在具有所述TFT的所述第一基板上的平坦化层，所述平坦化层具有形成于其中的通孔，使得所述TFT的源极或漏极通过所述通孔被暴露；形成在所述平坦化层上以连接至所述源极或所述漏极的像素电极；形成在所述像素电极上的有机发光层；以及形成在所述有机发光层上的阴极电极。

又一方面在于制造平板显示装置的方法，该方法包括：提供具有像素区和元件形成区的基板；在具有所述像素区和所述元件形成区的所述基板上形成阻挡层；在所述元件形成区中、所述阻挡层上形成有源层；去除所述阻挡层中接触所述有源层的侧面的部分，使得所述阻挡层仅被布置在所述有源层之下；在具有所述有源层的所述基板上形成栅绝缘层；在所述有源层的上方、所述栅绝缘层上形成栅极；在具有所述栅极的所述栅绝缘层上形成层间电介质层，然后暴露所述有源层的一部分；在所述层间电介质层上形成连接至所述有源层的源极和漏极；在具有所述源极和所述漏极的所述层间电介质层上形成平坦化层，然后暴露所述源极或漏极；以及在具有所述像素区的所述平坦化层上形成连接至所述源极或所述漏极的像素电极。

该方法可以进一步包括在具有所述像素电极的所述平坦化层上形成像素限定层；对所述像素限定层进行图案化，以在发光区中暴露所述像素电极；在被暴露的像素电极上形成有机发光层；以及在所述有机发光层上形成阴极。

应用于所述平板显示装置的TFT的有源层可以由诸如多晶硅之类的半导体形成。该半导体的导电率可以被从基板扩散来的杂质改变。阻挡层可以由无机材料在TFT之下形成。阻挡层可以不形成在透射光的像素区中，而仅形成在具有TFT的元件形成区中。另一方面在于一种平板显示装置，包括：第一基板；与所述第一基板相对布置的第二基板；形成在所述第一基板与所述第二基板之间的共用电极，其中所述共用电极离所述第二基板比离所述第一基板近；形成在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层；形成在所述第一基板与所述第二基板之间的薄膜晶体管(TFT)，其中所述TFT包括源极和漏极；形成在所述第一基板与所述TFT之间的阻挡层，其中所述阻挡层仅形成在所述TFT之下；形成在所述TFT上的平坦化层，其中在所述平坦化层中限定有通孔；以及形成在所述平坦化层上且通过所述通孔电连接至所述TFT的所述源极或所述漏极的像素电极。

在以上装置中，所述阻挡层包括第一子阻挡层和形成在所述第一子阻挡层上的第二子阻挡层，并且其中所述第子一阻挡层比所述第二子阻挡层更薄且更靠近所述第一基板。在以上装置中，所述第一子阻挡层由氧化硅形成，并且其中所述第二子阻挡层由氮化硅形成。