[发明专利]整合肖特基二极管与功率晶体管于基材的制造方法

权利要求书

1.一种整合肖特基二极管与功率晶体管于基材的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一第一导电型的基材；

形成至少一栅极多晶硅结构与一第二多晶硅结构于该基材，该第二多晶硅结构具有至少一部分覆盖该基材的一上表面；

以离子植入方式形成至少一第二导电型的本体与一第一导电型的源极掺杂区于该栅极多晶硅结构与该第二多晶硅结构之间；

形成一层间介电层于该栅极多晶硅结构上，以定义一源极接触窗，并且至少裸露部分该第二多晶硅结构；以及

去除至少部分该第二多晶硅结构，以形成一肖特基接触窗裸露该基材。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成该栅极多晶硅结构与该第二多晶硅结构于该基材的步骤包括：

形成至少一个第一沟槽与至少二个第二沟槽于该基材；

形成一介电层于该第一沟槽与所述多个第二沟槽的内侧表面；

形成该栅极多晶硅结构于该第一沟槽内；以及

形成该第二多晶硅结构填入所述多个第二沟槽内，并且覆盖所述多个第二沟槽间的该基材的该上表面。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，该第二沟槽的数量大于或等于三个。

4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，形成该源极掺杂区的步骤包括：形成一光阻图案与该本体上，以定义至少二个源极掺杂区分别邻接该第一沟槽与该第二沟槽。

5.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，该层间介电层具有一第一部分与一第二部分，该第一部分是覆盖该栅极多晶硅结构，该第二部分是覆盖部分该第二多晶硅结构的一上表面，该第一部分与该第二部分间具有一开口以定义该源极接触窗。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，定义出该源极接触窗的步骤后，更包括透过该源极接触窗植入一第二导电型的掺杂，以形成一重掺杂区于该本体内。

7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，该第二部分是大致对准相对应的该第二沟槽。

8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，该源极接触窗是在形成该肖特基接触窗的步骤中，同时形成于该本体内。

9.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，该源极接触窗是在形成该肖特基接触窗的步骤前，以蚀刻方式形成于该本体内。

10.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，该第二多晶硅结构的一侧面是大致对准该第二沟槽与该本体的交界处。

11.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，该源极接触窗是定义于该层间介电层与该第二多晶硅结构间。

12.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该栅极多晶硅结构与该第二多晶硅结构是以同一道步骤制作出来。

13.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，该栅极多晶硅结构与该第二多晶硅结构是完全位于该基材的该上表面上。

14.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成该层间介电层的步骤后，更包括透过该层间介电层蚀刻该本体，以形成该源极接触窗。

15.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，形成该肖特基接触窗的步骤，是以非等向性蚀刻技术，完全去除该第二多晶硅结构。