[发明专利]形成具有排热结构的垂直结构发光二极管的方法

权利要求书

1.一种形成具有排热结构的垂直结构发光二极管(LED)的方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)提供蓝宝石基板；

b)在蓝宝石基板上沉积复数个凸部，其高度为p；

c)形成具有复数个凹部的缓冲层，所述凹部的深度q小于p，以致当凸部容纳于缓冲层的凹部时，在其间形成复数个间隙，以利排热；

d)在缓冲层上生长复数个发光层，具有形成于复数个发光层和缓冲层间的介质层；

e)蚀刻穿透复数个发光层和缓冲层来形成通道，以利排热；

f)通过准分子激光剥离来移除蓝宝石基板和凸部；

g)粗化介质层；以及

h)在粗化的介质层上沉积电极。

2.根据权利要求1的方法，其中，所述凸部是通过化学气相沉积法或物理气相沉积法之后以光蚀刻制程、湿蚀刻制程或干蚀刻制程来沉积。

3.根据权利要求1的方法，其中，所述凸部包括SiOx、Si₃N₄、TiOx、V₂O₅、ITO、IZO、ZrO₂、Ta₂O₅、Al₂O₃、ZnO、MgO或MgF₂。

4.根据权利要求1的方法，其中，所述凸部的剖面形状为底角大于60°的等腰梯形，其高度p大于1μm，任两相邻的凸部距离小于1μm。

5.根据权利要求1的方法，其中，所述凸部形成条状或点状图案。

6.根据权利要求1的方法，其中，所述缓冲层的形状取决于其生长压力、生长时间和生长温度的参数。

7.根据权利要求1的方法，其中，所述缓冲层由使用于蓝光LED的未掺杂氮化镓(u-GaN)或使用于紫光LED的氮化铝(AlN)所制成。

8.根据权利要求1的方法，其中，所述缓冲层是通过金属有机化学气相沉积法或高气相外延法来沉积。

9.一种形成具有排热结构的垂直结构发光二极管的方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)提供蓝宝石基板；

b)在蓝宝石基板上沉积复数个凸部，凸部宽度为m；

c)形成具有复数个凹部的缓冲层，所述凹部的宽度n大于m，以致当凸部容纳于缓冲层的凹部时，在其间形成复数个间隙，以利排热；

d)在缓冲层上生长复数个发光层，具有形成于复数个发光层和缓冲层间的介质层；

e)蚀刻穿透复数个发光层和缓冲层来形成通道，以利排热；

f)通过准分子激光剥离来移除蓝宝石基板和凸部；

g)粗化介质层；以及

h)在粗化的介质层上沉积电极。

10.根据权利要求9的方法，其中，所述凸部是通过化学气相沉积法或物理气相沉积法之后以光蚀刻制程、湿蚀刻制程或干蚀刻制程来沉积。

11.根据权利要求9的方法，其中，所述凸部包括SiOx、Si₃N₄、TiOx、V₂O₅、ITO、IZO、ZrO₂、Ta₂O₅、Al₂O₃、ZnO、MgO或MgF₂。

12.根据权利要求9的方法，其中，所述凸部形成条状或点状图案。

13.根据权利要求9的方法，其中，所述缓冲层的形状取决于其生长压力、生长时间和生长温度的参数。

14.根据权利要求9的方法，其中，所述缓冲层由使用于蓝光LED的未掺杂氮化镓(u-GaN)或使用于紫光LED的氮化铝(AlN)所制成。

15.根据权利要求9的方法，其中，所述缓冲层是通过金属有机化学气相沉积法或高气相外延法来沉积。