[发明专利]发光器件和发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件(LED)，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；和

反射层，所述反射层设置为邻接所述第二导电型半导体层，

其中所述发光层包括多个量子阱，并且

相邻量子阱之间的距离为λ/2n±Δ，其中λ代表发射光的波长，n代表在所述反射层和所述发光层之间设置的介质的平均折射率，并且Δ≤λ/8n。

2.权利要求1所述的LED，其中所述反射层和最邻近所述反射层的所述量子阱之间的距离使得由所述发光层发射的光和由所述反射层反射的光之间发生相长干涉。

3.权利要求2所述的LED，其中所述反射层和最邻近所述反射层的所述量子阱之间的距离为(2m+1)(λ/4n)-2α±Δ)，其中m代表大于零的常数，λ代表所述发射光的波长，n代表在所述反射层和所述发光层之间设置的介质的平均折射率，α代表光在所述反射层内的透入深度，并且Δ≤λ/8n。

4.一种发光器件(LED)，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、包括多个量子阱的发光层和第二导电型半导体层；和

在所述发光结构上的反射层，

其中所述反射层和最邻近所述反射层的所述量子阱之间的距离使得由所述发光层发射的光和由所述反射层反射的光之间发生相长干涉。

5.权利要求4所述的LED，其中所述反射层和最邻近所述反射层的所述量子阱之间的距离为(2m+1)(λ/4n)-2α±Δ)，其中m代表大于零的常数，λ代表所述发射光的波长，n代表在所述反射层和所述发光层之间设置的介质的平均折射率，α代表光在所述反射层内的透入深度，并且Δ≤λ/8n。

6.一种发光器件(LED)，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、包括通过多个阱层和多个势垒层形成的多个量子阱的发光层、和第二导电型半导体层；以及

邻接所述发光结构的反射层，

其中相互邻接的势垒层和阱层的总厚度为λ/2n±Δ，其中λ代表发射光的波长，n代表在所述反射层和所述发光层之间设置的介质的平均折射率，并且Δ≤λ/8n。

7.一种发光器件封装，包括权利要求1所述的发光器件，并且还包括提供为容纳所述发光器件的封装体。

8.一种照明系统，包括发光模块部，所述发光模块部包括权利要求7所述的发光器件封装。