[发明专利]电激发光显示面板的像素结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明关于一种电激发光显示面板的像素结构及其制作方法，尤指一种 直接使一第二开关元件的第二漏极与一第一开关元件的栅极电性连接而不需 透过第三导电层作为桥接线的电激发光显示面板的像素结构及其制作方法。

背景技术

主动矩阵有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode， AMOLED)显示面板具有多项特性与优势，例如可利用低温制造工艺加以制 作、可实现大尺寸显示、反应时间快、低电压、高效率、自发光与广视角等， 使得它被普遍预期将成为下一世代的显示面板的主流。

请参考图1。图1绘示了现有有机发光二极管显示面板的像素结构的剖 面示意图。如图1所示，有机发光二极管显示面板的像素结构1包括一薄膜 晶体管2，以及一有机发光二极管OLED。薄膜晶体管2为一下栅极型薄膜 晶体管，其包括一栅极3、一源极4与一漏极5，其中薄膜晶体管2的源极4 通过一透明导电层6与有机发光二极管OLED电性连接。另外，像素结构1 另包括另一薄膜晶体管(图未示)，且薄膜晶体管2的栅极3通过透明导电层6 与另一薄膜晶体管的漏极7电性连接。

由于现有有机发光二极管显示面板的像素结构利用透明导电层桥接一薄 膜晶体管的栅极与另一薄膜晶体管的漏极，因此当像素结构应用在上发光式 有机发光二极管显示面板时，有机发光二极管必须避开作为桥接线的透明导 电层，而造成开口率的损失。此外，在现有有机发光二极管显示面板的像素 结构中，薄膜晶体管做用多晶硅作为半导体通道层的材料。多晶硅虽然具有 高载子移动率，但其需利用高温制造工艺加以制作且具有均匀度不佳的缺点， 因此亦造成了现有有机发光二极管显示面板制作成本的提升以及应用上的限 制。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种电激发光显示面板的像素结构及其制作 方法，以增加开口率。

本发明的一较佳实施例提供一种电激发光显示面板的像素结构，包括一 基板、一第一图案化导电层、一绝缘层、一第二图案化导电层、一主动层、 一第一保护层与一电激发光元件。第一图案化导电层设置于基板上，其中第 一图案化导电层包括一栅极。绝缘层设置于基板及第一图案化导电层上，其 中绝缘层包括至少一第一接触洞，部分暴露出栅极。第二图案化导电层设置 于绝缘层上，其中第二图案化导电层包括一第一源极与一第一漏极，以及一 第二漏极与绝缘层的第一接触洞暴露出的栅极电性连接。主动层设置于绝缘 层上并分别与第一源极及第一漏极部分重叠。第一保护层设置于第二图案化 导电层与主动层上，其中第一保护层包括至少一第二接触洞，使第一源极与 第一漏极的其中的一者中的部分暴露。电激发光元件设置于第一保护层上， 其中电激发光元件与第一保护层的第二接触洞暴露出的第一源极与第一漏极 的其中的一者电性连接。

本发明的另一较佳实施例提供一种制作电激发光显示面板的像素结构的 方法，包括下列步骤。提供一基板，并于基板上形成一第一图案化导电层， 其中第一图案化导电层包括一栅极。于基板及第一图案化导电层上形成一绝 缘层，并于绝缘层内形成至少一第一接触洞，部分暴露出栅极。于绝缘层上 形成一第二图案化导电层，其中第二图案化导电层包括一第一源极与一第一 漏极，以及一第二漏极与绝缘层的第一接触洞暴露出的栅极电性连接。于绝 缘层上形成一主动层，其中主动层分别与第一源极与第一漏极部分重叠。于 第二图案化导电层与主动层上形成一第一保护层，并于第一保护层内形成至 少一第二接触洞，使第一源极与第一漏极的其中的一者中的部分暴露。于第 一保护层上形成一电激发光元件，并使电激发光元件与该第一保护层的第二 接触洞暴露出的第一源极与第一漏极的其中的一者电性连接。

本发明的电激发光显示面板的像素结构利用第二薄膜晶体管的第二漏极 直接与第一薄膜晶体管的栅极电性连接，而不需第三导电层作为桥接线，因 此可大幅增加电激发光显示面板的像素结构的发光面积，进而提升开口率。

附图说明

图1绘示了现有有机发光二极管显示面板的像素结构的剖面示意图。

图2绘示了本发明的电激发光显示面板的像素结构的驱动电路示意图。

图3至图8绘示了本发明的第一较佳实施例的制作电激发光显示面板的 像素结构的示意图。

图9与图10绘示了本发明的第二较佳实施例的制作电激发光显示面板的 像素结构的示意图。