[发明专利]电激发光显示面板的像素结构及其制作方法有效
申请号: | 201010167348.1 | 申请日: | 2010-04-23 |
公开(公告)号: | CN101819990A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 蔡宗廷;谢信弘 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激发 显示 面板 像素 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种电激发光显示面板的像素结构,其特征在于,所述的像素结构包 括:
一基板;
一第一图案化导电层,设置于所述的基板上,其中所述的第一图案化导 电层包括一栅极;
一绝缘层,设置于所述的基板及所述的第一图案化导电层上,其中所述 的绝缘层包括至少一第一接触洞,部分暴露出所述的栅极;
一第二图案化导电层,设置于所述的绝缘层上,其中所述的第二图案化 导电层包括一第一源极与一第一漏极,以及一第二漏极与所述的绝缘层的所 述的第一接触洞暴露出的所述的栅极电性连接;
一主动层,设置于所述的绝缘层上并分别与所述的第一源极及所述的第 一漏极部分重叠;
一第一保护层,设置于所述的第二图案化导电层与所述的主动层上,其 中所述的第一保护层包括至少一第二接触洞,使所述的第一源极与所述的第 一漏极的其中的一者中的部分暴露;以及
一电激发光元件,设置于所述的第一保护层上,其中所述的电激发光元 件与所述的第一保护层的所述的第二接触洞暴露出的所述的第一源极与所述 的第一漏极的其中的一者电性连接。
2.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构,其特征在于,其 中所述的第一源极与所述的第一漏极分别部分覆盖于主动层的一上表面。
3.如权利要求2所述的电激发光显示面板的像素结构,其特征在于,所 述的像素结构另包括一蚀刻停止层,部分覆盖所述的主动层的所述的上表面, 且所述的第一源极与所述的第一漏极分别部分覆盖所述的蚀刻停止层的一上 表面。
4.如权利要求3所述的电激发光显示面板的像素结构,其特征在于,其 中所述的蚀刻停止层另覆盖所述的主动层的两侧表面以及所述的绝缘层的一 上表面。
5.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构,其特征在于,其 中所述的主动层分别部分覆盖所述的第一源极与所述的第一漏极的一上表 面。
6.如权利要求5所述的电激发光显示面板的像素结构,其特征在于,所 述的像素结构另包括一盖层,覆盖所述的主动层的一上表面。
7.如权利要求6所述的电激发光显示面板的像素结构,其特征在于,其 中所述的盖层另包覆所述的主动层的两侧表面。
8.如权利要求6所述的电激发光显示面板的像素结构,其特征在于,其 中所述的盖层包括一氧化硅层、一氮化硅层或一氮氧化硅层。
9.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构,其特征在于,其 中所述的主动层包括一金属氧化物。
10.如权利要求9所述的电激发光显示面板的像素结构,其特征在于, 其中所述的金属氧化物包括铟镓锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌或上述材料 的混合物。
11.如权利要求9所述的电激发光显示面板的像素结构,其特征在于, 其中所述的金属氧化物包括一非晶金属氧化物。
12.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构,其特征在于, 其中部分所述的电激发光元件至少部分重叠于所述的绝缘层的所述的第一接 触洞。
13.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构,其特征在于, 其中部分所述的电激发光元件与所述的第一源极及所述的第一漏极至少部分 重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的