[发明专利]发光装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光装置及其制造方法。

背景技术

当制造具有发光元件的发光装置时，在玻璃衬底等衬底上使用半导体工艺形成用来驱动发光元件的半导体电路，在半导体电路上形成绝缘膜(平坦化膜)，并且在该绝缘膜上形成发光元件。

另外，已知如下制造柔性发光装置的方法：在玻璃衬底等衬底上形成分离层，在分离层上形成用来驱动发光元件的半导体电路元件，在半导体电路元件上形成绝缘膜(平坦化膜)，在该绝缘膜上形成发光元件，由分离层分离衬底和半导体电路元件，并且将半导体电路元件和发光元件转移在柔性衬底上，以制造柔性发光装置(参照专利文献1)。

在专利文献1中，在包含阳极、有机发光层、阴极的发光元件上形成层间绝缘膜，并且使用粘合层粘合层间绝缘层膜和支撑体。接着，由作为分离层的第一材料层及第二材料层分离半导体电路元件及发光元件与衬底。使用粘合层将被分离的半导体电路元及发光元件粘合在薄膜衬底上。

专利文献1日本专利申请公开2003-163337号公报

这里，有如下问题：在有机层与形成在该有机层上的作为阴极或阳极的电极的紧贴性弱的情况下，当由分离层分离半导体电路元件及发光元件与衬底时，在电极与有机层的界面可能会发生剥离。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的一个方式的目的在于抑制当由分离层分离半导体电路元件及发光元件与衬底时在电极与有机层的界面发生的剥离。

在具有多个像素的发光装置中，当在每个像素中制造发光元件时，将形成在有机层上的作为阴极或阳极的电极与隔断墙接触的区域配置在每个像素周围。通过设置与电极的紧贴性强的隔断墙，当分离半导体电路元件及发光元件与衬底时，可以在有机层与电极不剥离的情况下分离半导体电路元件及发光元件与衬底。

本发明的一个方式涉及一种发光装置的制造方法，包括：在衬底上形成分离层；在所述分离层上形成半导体电路元件层；在所述半导体电路元件层上形成电连接于所述半导体电路元件层的多个第一电极；在所述半导体电路元件层上形成重叠于所述多个第一电极的每个电极的端部的隔断墙；在所述多个第一电极的每一个上形成发红色光的有机物层、发绿色光的有机物层和发蓝色光的有机物层中的任何一种；所述发红色光的有机物层、所述发绿色光的有机物层和所述发蓝色光的有机物层中的发同一种颜色的光的有机物层相邻地排列为一列，并且在所述发红色光的有机物层相邻地排列为一列的第一区域、所述发绿色光的有机物层相邻地排列为一列的第二区域和所述发蓝色光的有机物层相邻地排列为一列的第三区域中，以所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的每一个延伸的方向作为第一方向；所述隔断墙存在于所述第一区域与所述第二区域之间、所述第二区域与所述第三区域之间和所述第三区域与所述第一区域之间，并且所述隔断墙在所述第一方向上延伸；在所述有机物层上形成第二电极，该第二电极接触于所述隔断墙并使用与所述隔断墙的紧贴性强的材料而形成；以及在通过所述分离层从所述衬底分离包含所述半导体电路元件层、所述第一电极、所述隔断墙、所述有机物层和所述第二电极的叠层结构的工序中，从所述衬底分离包含所述半导体电路元件层、所述第一电极、所述隔断墙、所述有机物层和所述第二电极的叠层结构的方向为垂直于第一方向的第二方向。

所述隔断墙使用无机材料或有机材料而形成，所述无机材料是氧化硅、氮化硅、包含氮的氧化硅、包含氧的氮化硅和金刚石状碳中的任何一种或两种以上，而所述有机材料是聚酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂或苯并环丁烯和硅氧烷中的任何一种或两种以上。

所述第二电极是透光阳极、透光阴极、遮光阴极和遮光阳极中的任何一种。

所述透光阳极的材料是氧化铟、氧化铟-氧化锡合金、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟、氧化铟氧化锌合金、氧化锌和添加有镓(Ga)的氧化锌中的任何一种。

所述透光阴极的材料是功函数低的材料的极薄膜或所述功函数低的材料的极薄膜与透光导电膜的叠层。

所述遮光阴极的材料是功函数小的金属、功函数小的合金、功函数小的导电化合物和它们的混合物中的任何一种，并且所述功函数小的金属是锂(Li)、铯(Cs)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、铕(Eu)和镱(Yb)中的任何一种。

所述遮光阳极的材料是功函数大的金属、功函数大的合金、功函数大的导电化合物和它们的混合物中的任何一种，并且所述功函数大的金属是金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)和钯(Pd)中的任何一种。