[发明专利]发光元件以及显示装置无效
申请号: | 201010143460.1 | 申请日: | 2004-07-01 |
公开(公告)号: | CN101794811A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 小野雅行;堀贤哉;名古久美男;青山俊之;长谷川贤治;小田桐优 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 以及 显示装置 | ||
1.一种发光元件,具有:
相对置的空穴注入电极与电子注入电极;以及
夹在上述空穴注入电极与电子注入电极之间,从上述空穴注入电极侧向上述电子注入电极侧依次层叠的空穴输送层、发光体层、和电子输送层,
上述发光体层包含表面的至少一部分被有机材料所覆盖的场致发光的无机荧光体粒子。
2.如权利要求1所述的发光元件,其中:
还具有相对置的、至少一方为透明或半透明的第1以及第2基板;
在上述第1与第2基板之间,按顺序夹有上述空穴注入电极、上述空穴输送层、上述发光体层、上述电子输送层、和上述电子注入电极。
3.如权利要求1或2所述的发光元件,其中:
上述无机荧光体粒子是由半导体母体结晶所构成的荧光体。
4.如权利要求3所述的发光元件,其中:
上述半导体母体结晶含有具有从Zn、Ga、In、Sn、Ti的一组中所选择出的至少1种元素的氧化物或复合氧化物。
5.如权利要求1所述的发光元件,其中:
还具有夹在上述空穴注入电极与上述空穴输送层之间的空穴注入层。
6.如权利要求1所述的发光元件,其中:
还具有夹在上述电子注入电极与上述电子输送层之间的电子注入层。
7.如权利要求1所述的发光元件,其中:
还具有夹在上述发光体层与上述电子输送层之间的空穴阻塞层。
8.如权利要求1所述的发光元件,其中:
还具有与上述空穴注入电极相连接的薄膜晶体管。
9.如权利要求1所述的发光元件,其中:
还具有与上述电子注入电极相连接的薄膜晶体管。
10.如权利要求8或9所述的发光元件,其中:
上述薄膜晶体管是由含有有机材料的薄膜所构成的有机薄膜晶体管。
11.一种显示装置,其中,具有:
二维排列有权利要求8~10中任意一项所述的多个发光元件的发光元件阵列;
在平行于上述发光元件阵列的面的第1方向上互相平行延伸的多个x电极;以及
在平行于上述发光元件阵列的面且与上述第1方向相垂直的第2方向上平行延伸的多个y电极;
上述发光元件阵列的上述薄膜晶体管,与上述x电极以及上述y电极分别相连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的