[发明专利]一种点接触LDMOS结构晶体管单元有效
| 申请号： | 201010138231.0 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101807604A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 傅义珠 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06;H01L29/10;H01L27/088 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 点接触 ldmos 结构 晶体管 单元 | ||
1.一种点接触LDMOS结构晶体管单元，其特征是晶体管单元漏电极接触区是圆形或正多边形N+掺杂漏区(5)，N+掺杂漏区(5)外围是环绕N-掺杂漂移区(4)；环绕N-掺杂漂移区(4)外围是P型掺杂沟道区(3)，P型掺杂沟道区(3)上方是N+掺杂多晶硅栅区(6)；在P型掺杂沟道区(3)与N+掺杂多晶硅栅区(6)之间隔着二氧化硅绝缘层；在P型掺杂沟道区(3)区外围环绕着N+掺杂源区(2)；在N+掺杂源区(2)外围是P+掺杂源区(1)，P+掺杂源区(1)掺杂深度超过外延层厚度，P+掺杂源区(1)与P+衬底相连；P+掺杂源区(1)与N+掺杂源区(2)表面通过金属硅化物相连。
2.根据权利要求1所述的一种点接触LDMOS结构晶体管单元，其特征是在对应P+掺杂源区(1)、N+掺杂多晶硅栅区(6)和N+掺杂漏区(5)分别开有金属接触窗口。
3.根据权利要求1所述的一种点接触LDMOS结构晶体管单元，按照周期T1即距离大于N+掺杂源区(2)外边界直径，沿Y方向复制某个数量N1，这N1个晶体管单元构成一组，再按照周期T2即距离大于N+掺杂源区(2)外边界直径，沿X方向复制某个数量N2，这N2个晶体管单元构成一组，由N1×N2个单元构成器件芯片。
4.根据权利要求4所述的一种点接触LDMOS结构晶体管单元，其特征是器件芯片表面覆盖着一层绝缘层，在对应P+掺杂源区(1)、N+掺杂多晶硅栅区(6)和N+掺杂漏区(5)分别开有金属接触窗口。
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