[发明专利]封装基座结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装基座结构以及制作方法，尤指用于封装一发光组件的封装基座结构及其制作方法。

背景技术

在许多光电系统中，常有改变光行进路径的需求。例如图1的所示，其将发光组件11所产生的光束偏折至与基板10的非共平面上，而在常用手段中，它是将一个具有45度倾斜的反射面120的玻璃块材12封装键结至基板10上，最后再封装一个微型光学透镜(Micro Lens)13至反射面120上缘，将偏折至非共平面处的光线进行聚焦与准直。然而这个架构却需要付出极为昂贵的封装成本，因为发光组件11、玻璃块材12与微型光学透镜13属于三个分开制造的分离式组件(Discrete Element)，而且封装至基板10上还需要考虑三个组件间的对位精度，如此导致制造成本不易降低且量产(Mass Production)可能性极低。而如何解决在现有技术手段中所产生的缺失，为研发本发明的最主要的目的。

发明内容

本发明为一种封装基座制作方法，该封装基座制作方法包含下列步骤：提供一半导体基板，该半导体基板具有一表面；于该半导体基板的表面上方形成一第一蚀刻罩幕，该第一蚀刻罩幕上具有一蚀刻窗口，该蚀刻窗口具有沿一第一方向延伸的一侧壁，而该第一方向与该半导体基板的晶格方向间具有一偏移角度，该偏移角度的范围大于等于0度且小于45度或小于等于90度但大于45度；运用该第一蚀刻罩幕及该蚀刻窗口对该半导体基板进行一选择性非均向蚀刻，进而沿该第一方向而于该半导体基板表面上蚀刻出一斜面；于该斜面上形成一第二蚀刻罩幕，该第二蚀刻罩幕上具有多个蚀刻窗口；以及运用该第二蚀刻罩幕及该等蚀刻窗口对该斜面进行蚀刻，进而于该斜面上蚀刻出具有多个凹槽结构的一微光学绕射组件。

根据上述构想，本发明所述的封装基座制作方法，其中该表面为{100}等价晶格平面，而该第一方向与该半导体基板的<100>等价晶格方向间具有该偏移角度，通过该选择性非均向蚀刻沿该第一方向而于该半导体基板表面上蚀刻出表面为{110}等价晶格平面的该斜面。

根据上述构想，本发明所述的封装基座制作方法，其中该表面为{110}等价晶格平面，而该第一方向与该半导体基板的<110>等价晶格方向间具有该偏移角度，通过该选择性非均向蚀刻沿该第一方向而于该半导体基板表面上蚀刻出表面为{100}等价晶格平面的该斜面。

根据上述构想，本发明所述的封装基座制作方法，其中该半导体基板可为一钻石晶体结构的硅基板。

根据上述构想，本发明所述的封装基座制作方法，其中该选择性非均向蚀刻可为一湿蚀刻，而该非均向蚀刻所使用的一蚀刻液可按氢氧化钾∶水∶异丙醇依所需的蚀刻速率比例混和而成。

根据上述构想，本发明所述的封装基座制作方法，其中欲将该半导体基板表面与该斜面的夹角控制在45度+/-1度时，该偏移角度的范围则需大于等于22度且小于45度或小于等于68度但大于45度。

根据上述构想，本发明所述的封装基座制作方法，其中该斜面被运用为一光学反射面。

根据上述构想，本发明所述的封装基座制作方法，其中该非均向蚀刻所使用的一蚀刻液的温度可加热到摄氏60度至95度的范围内。

根据上述构想，本发明所述的封装基座制作方法，其中该非均向蚀刻进行时需以一搅拌装置将所使用的该非均向蚀刻液不断扰动，用以避免加热过程中所产生的气泡附着于该斜面上而影响该斜面的平坦度。

根据上述构想，本发明所述的封装基座制作方法，其中该第一罩幕层上所具有的蚀刻窗口的形成方法包含下列步骤：于该第一罩幕层上形成一光阻层；通过一光罩在该光阻层上定义出一光阻图形；以及根据该光阻图形对该第一罩幕层进行一反应式离子蚀刻(RIE)，进而于该第一罩幕层上形成蚀刻窗口。

根据上述构想，本发明所述的封装基座制作方法，其中该第二罩幕层上所具有多个蚀刻窗口的形成方法通过一电子束微影写入工艺(Ebeam writer)于该第二罩幕层上形成多个蚀刻窗口。

根据上述构想，本发明所述的封装基座制作方法，其中该微光学绕射组件通过一反应式离子蚀刻(RIE)形成于该斜面上。