[发明专利]一种彩色有机发光显示面板及其制备方法无效
申请号: | 201010121391.4 | 申请日: | 2010-03-10 |
公开(公告)号: | CN101777577A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | 李俊 | 申请(专利权)人: | 彩虹集团公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 汪人和 |
地址: | 71202*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 彩色 有机 发光 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于有机发光显示面板制备技术领域,特别涉及一种彩色有机 发光显示(OLED)面板及其制备方法。
背景技术
当今,随着多媒体技术的发展和信息社会的来临对平板显示器性能的 要求越来越高。近年新出现的三种显示技术:等离子显示器、场发射显示 器和有机电致发光显示器,均在一定程度上弥补了阴极射线管和液晶显示 器的不足。
其中,有机电致发光显示器OLED(Organic Light Emitting Display), 具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、宽视角、颜色丰富等一系列的 优点,与液晶显示器相比,有机电致发光显示器不需要背光源,视角大, 功率低,其响应速度可达液晶显示器的1000倍,其制造成本却低于同等 分辨率的液晶显示器,因此,有机电致发光显示器具有广阔的应用前景。
1987年,美国Kodak公司的C.W.Tang等人(C.W.Tang,S.A.Vanslyke, Appl.Phys.Lett.,1987,51,913)选择具有较好成膜性能的三苯胺类衍生物 和Alq3分别作为空穴传输层和发光层兼电子传输层,制备得到高量子效率 (1%)、高发光效率(>1.51m/W)、高亮度(>1000cd/m2)和低驱动电压(<10V) 的有机电致发光器件(以下简称OLED)。这一突破性进展为有机电致发光 器件的发展注入了新的动力,有机电致发光技术显示出了它潜在的实用价 值。1989年,C.W.Tang等人(C.W.Tang,S.A.Vanslyke,J.Appl.Phys,1989, 65,913)在发光层中掺杂荧光染料来提高OLED的效率,由于荧光染料的 掺杂浓度较低,它能够直接俘获载流子,同时能防止高掺杂浓度时荧光染 料自吸收导致的淬灭。这种掺杂荧光染料器件的结构一般为双异质结结 构,它们具有独立的空穴传输层和电子传输层,电子-空穴能够在发光层中 进行有效复合,使器件的效率达到有机电致荧光器件的理论极限(内量子效 率25%,外量子效率5%)。
由于OLED将电流转化为光,当元件覆盖一个大的表面积时,这两个 电极必须可以传导大量的电流。典型的电流密度为50mA/cm2。但是,在 光透明度的要求和通常伴随较低薄膜电阻的连接电极的较大的层厚度的 要求之间确实存在矛盾。可以理解,一个比较厚的(金属或导电的氧化物) 电极同时具有较低的薄膜电阻和较低的透光率。
到目前为止,OLED虽说发展的较成熟,但是在实际的应用中还有好 多令人不满意的地方。例如,如何提高OLED的亮度,寿命,稳定性等性 能,人们还在不停的探索中,通过发明新的材料,参杂,及设计各种的机 构和使用特殊的工艺,OLED得到了快速的发展。
发明内容
鉴于上述所存在的问题,本发明提供了一种彩色有机电致发光显示 (OLED)面板及其制备方法,该方法通过其特殊的工艺,能够有效改善 器件的寿命,亮度,稳定性及其出光效率,能够减少光电源损耗,并且节 省工序,提高效率。
本发明为实现上述目的所采取的技术方案是:一种彩色有机发光显示 面板,包括上、下基板玻璃及覆盖在上、下基板玻璃上的基板ITO,其特 征在于:在下基板玻璃上覆盖有下基板ITO,在该下基板ITO上溅射有 金属层;在上基板玻璃上覆盖有上基板ITO,且上、下基板玻璃相互压合; 在上、下基板玻璃之间设置有间隔下基板ITO、金属层及上基板ITO的 绝缘柱,且在相邻绝缘柱之间分布有有机层。
所述金属层为Al层及Ni层。
所述有机层为依次至下而上层间分布的空穴注入层、空穴传输层、 RGB不同色素的发光层、电子传输层、电子注入层、ITO导电层。
所述上、下基板玻璃都为ITO玻璃。
所述绝缘柱为矩形阵列,且其分布于ITO玻璃基板的ITO条形间隙之 间。
所述绝缘柱的截面上端为正梯形结构,有机层分布在该正梯形结构间 隔间;所述绝缘柱的截面下端为柱形,下基板ITO及金属层分布在该柱形 结构之间。
彩色有机发光显示面板的制备方法包括如下步骤:
1)取一块ITO玻璃基板进行清洗、干燥,然后将其作为下基板在ITO 上溅射两层金属层Al与Ni,再进行激光退火,退火温度为850℃,退火 时间为38s;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的