[发明专利]对施加到半导体开关元件的电压进行测定的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体开关元件，其具备第一导通电极和第二导通电极；以及

电压测定电路，用于对所述半导体开关元件的第一导通电极和第 二导通电极之间的电压进行测定，

所述电压测定电路包含：

恒压元件，与所述半导体开关元件并联连接，将在所述半导体开 关元件的导通方向上施加的电压限制为规定值；

控制用开关，与所述恒压元件并联连接；以及

开关控制部，控制所述控制用开关，使得在所述半导体开关元件 的断开状态下所述控制用开关是导通状态，在所述半导体开关元件的 导通状态下所述控制用开关是断开状态，

所述半导体装置还具备：

驱动部，将用于驱动所述半导体开关元件的驱动信号向所述半导 体开关元件输出；

过电流检测部，基于施加到所述恒压元件的电压的大小，使所述 驱动部向所述半导体开关元件的所述驱动信号的输出停止，并且输出 表示所述半导体开关元件是过电流状态的错误信号；以及

盒体，对所述半导体开关元件、所述电压测定电路、所述驱动部 以及所述过电流检测部进行收容，

所述过电流检测部的输入连接至所述电压测定电路，所述过电流 检测部的输出连接至用于驱动所述半导体开关元件的驱动部，

所述恒压元件是齐纳二极管，

在所述齐纳二极管的两端连接所述过电流检测部的输入，

在规定的期间，齐纳二极管的两端相连接，齐纳二极管的两端电 压为0，另一方面，在从控制用开关断开时直至接通为止的期间，没有 将齐纳二极管的两端连接，两端电压不为0，且始终直线式增加。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述电压测定电路还包含：电阻，与所述恒压元件串联连接，并 且与所述半导体开关元件并联连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述恒压元件是串联连接的多个二极管，

所述电压测定电路还包含：电阻，与所述恒压元件串联连接，并 且与所述半导体开关元件并联连接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述电压测定电路还包含：电阻，与所述半导体开关元件、所述 恒压元件和所述控制用开关并联连接。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述电压测定电路还包含：电容器，与所述半导体开关元件、所 述恒压元件和所述控制用开关并联连接。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述开关控制部从所述半导体开关元件被接通起至规定时间经过 为止维持所述控制用开关的导通状态，在所述规定时间经过之后切断 所述控制用开关。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具备：

端子，安装在所述盒体，用于对施加到所述恒压元件的电压进行 测定。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述电压测定电路、所述驱动部和所述过电流检测部被包含在1 个半导体集成电路中。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具备：二极管元件，与所述半导体开关元件、 所述恒压元件和所述控制用开关并联连接，使得与所述半导体开关元 件的导通方向成为相反的导通方向，并且通过碳化硅形成。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

所述半导体开关元件通过碳化硅形成。