[发明专利]切割带集成晶片背面保护膜

权利要求书

1.一种使用切割带集成晶片背面保护膜生产半导体器件 的方法，所述切割带集成晶片背面保护膜包括：

切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏 粘合剂层；和

晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带 的压敏粘合剂层上，

其中所述晶片背面保护膜是有色的，在温度250℃下加热1 小时后的重量减少率为1重量%以下，

所述方法包括以下步骤：

粘贴工件至所述切割带集成晶片背面保护膜的所述有色晶 片背面保护膜上，

切割所述工件以形成芯片形工件，

与所述有色晶片背面保护膜一起，从所述切割带的压敏粘 合剂层剥离芯片形工件，和

通过倒装芯片接合将所述芯片形工件固定至被粘物。

2.根据权利要求1所述的生产半导体器件的方法，还包括 使所述有色晶片背面保护膜中的热固性树脂固化的工序，所述 固化工序在所述剥离工序之后进行。

3.根据权利要求1所述的生产半导体器件的方法，还包括 用封装材料封装所述芯片形工件和所述被粘物之间的间隙的工 序，构成所述晶片背面保护膜的热固性树脂在所述封装工序中 固化。

4.根据权利要求1所述的生产半导体器件的方法，还包括 对所述晶片背面保护膜进行激光标识的工序，和

使所述有色晶片背面保护膜中的热固性树脂固化的工序，

所述进行激光标识的工序在所述固化工序之前进行。

5.根据权利要求1所述的生产半导体器件的方法，还包括 对所述晶片背面保护膜进行激光标识的工序，和

用封装材料封装所述芯片形工件和所述被粘物之间的间隙 的工序，

所述进行激光标识的工序在所述封装工序之前进行，

构成所述晶片背面保护膜的热固性树脂在所述封装工序中 固化。

6.根据权利要求1～5任一项所述的生产半导体器件的方 法，其中有色晶片背面保护膜具有激光标识性。

7.根据权利要求1～5任一项所述的生产半导体器件的方 法，其用于倒装芯片安装的半导体器件。

8.根据权利要求6所述的生产半导体器件的方法，其用于 倒装芯片安装的半导体器件。