[发明专利]切割带集成晶片背面保护膜有效
申请号: | 201010106032.1 | 申请日: | 2010-01-29 |
公开(公告)号: | CN101794722A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 高本尚英 | 申请(专利权)人: | 日本电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/78;H01L21/304;H01L21/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 集成 晶片 背面 保护膜 | ||
技术领域
本发明涉及切割带集成晶片背面保护膜(dicing tape-integrated wafer back surface protective film)。切割带集成 晶片背面保护膜用于保护芯片形工件(如半导体芯片)的背面和 增强强度。此外,本发明涉及使用所述切割带集成晶片背面保 护膜的半导体器件和生产所述器件的方法。
背景技术
最近,日益要求半导体器件及其包装的变薄和小型化。因 此,作为半导体器件及其包装,已广泛利用以半导体芯片的电 路面与基板的电极形成面相对的形式将半导体芯片(芯片形工 件)固定至基板的那些(通过倒装芯片接合生产的半导体器件; 可将其称为倒装芯片安装的半导体器件)。在该类半导体器件等 中,在一些情况下半导体芯片(芯片形工件)的背面用保护膜保 护,以防止损害半导体芯片(例如,参见专利文献1至10)。
专利文献1:JP-A-2008-166451
专利文献2:JP-A-2008-006386
专利文献3:JP-A-2007-261035
专利文献4:JP-A-2007-250970
专利文献5:JP-A-2007-158026
专利文献6:JP-A-2004-221169
专利文献7:JP-A-2004-214288
专利文献8:JP-A-2004-142430
专利文献9:JP-A-2004-072108
专利文献10:JP-A-2004-063551
发明内容
然而,为保护半导体芯片背面,粘贴背面保护膜至通过在 切割步骤中切割半导体晶片获得的半导体芯片的背面导致增加 粘贴步骤,因此步骤数量增加,成本等增加。此外,由于变薄, 在切割步骤后的半导体芯片的拾取步骤中,在一些情况下可能 损害半导体芯片。因而,期望增强半导体晶片或半导体芯片直 至拾取步骤。
考虑到前述问题,本发明的目的是提供从半导体晶片的切 割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用的切割带 集成晶片背面保护膜。此外,本发明的另一目的是提供切割带 集成晶片背面保护膜,其在半导体芯片的切割步骤中能够显示 优良的保持力,并能在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后显示 标识性能和外观性。
作为为解决上述传统问题深入研究的结果,本发明人已发 现,当将用其中包含的染料着色的晶片背面保护膜层压至具有 基材和压敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂层上,从而以集成 方式形成切割带和晶片背面保护膜时,从半导体晶片的切割步 骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤,均能够利用以集成方式 形成切割带和晶片背面保护膜的层压体(切割带集成晶片背面 保护膜),以及在半导体晶片的切割步骤中能够显示优良的保持 力,在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后能够显示标识性能和 外观性,由此完成本发明。
即,本发明提供切割带集成晶片背面保护膜,其包括:切 割带,所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂 层;和晶片背面保护膜,所述晶片背面保护膜形成于所述切割 带的压敏粘合剂层上,其中所述晶片背面保护膜用其中包含的 染料着色。
如上所述,由于本发明的切割带集成晶片背面保护膜以以 下形式形成:晶片背面保护膜与包括基材和压敏粘合剂层的切 割带集成,以及晶片背面保护膜是有色的,因此工件可通过在 切割晶片(半导体晶片)时粘贴切割带集成晶片背面保护膜至工 件(半导体晶片)来保持和有效地切割。此外,切割工件以形成 芯片形工件(半导体芯片)后,通过与有色晶片背面保护膜一起, 从切割带的压敏粘合剂层剥离芯片形工件,能够容易地获得保 护其背面的芯片形工件,并且还能够有效地改进芯片形工件背 面的标识性能和外观性等。
此外,如上所述,在本发明的切割带集成晶片背面保护膜 中,由于有色晶片背面保护膜使用染料作为着色剂(着色试剂) 着色,因此将着色剂溶解于有色晶片背面保护膜中,以形成着 色剂在其中均匀或几乎均匀分散的状态。因此,能够容易地生 产具有均匀或几乎均匀的着色密度的有色晶片背面保护膜(以 及切割带集成晶片背面保护膜)。此外,由于在切割带集成晶片 背面保护膜中的有色晶片背面保护膜可具有均匀或几乎均匀的 着色密度,标识性能和外观性优良。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造