[发明专利]沟槽阵列的形成方法

权利要求书

1.一种沟槽阵列的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供半导体基底，在所述半导体基底上具有掩膜层；

图案化掩膜层，形成具有阵列排列的条形开口的掩膜图案；

利用掩膜图案做掩膜，用含有NF₃和HBr的刻蚀气体对所述半导体基底第一刻蚀；

利用掩膜图案做掩膜，用含有NF₃和HBr、O₂的刻蚀气体对所述半导体基底第二刻蚀；

利用掩膜图案做掩膜，用含有NF₃和HBr、O₂的刻蚀气体对所述半导体基底第三刻蚀，

其中第一刻蚀的NF₃流量小于第二刻蚀及第三刻蚀中的NF₃流量，第二刻蚀中的氧气流量小于第三刻蚀中的氧气流量。

2.根据权利要求1所述的沟槽阵列的形成方法，其特征在于，第一刻蚀中NF3流量为20sccm～30sccm，HBr的流量为180sccm～210sccm。

3.根据权利要求2所述的沟槽阵列的形成方法，其特征在于，第二刻蚀中NF₃流量为20sccm～40sccm，HBr的流量为170sccm～200sccm，O₂的流量为8sccm～13sccm。

4.根据权利要求3所述的沟槽阵列的形成方法，其特征在于，第三刻蚀中NF₃流量为20sccm～40sccm，HBr的流量为170sccm～200sccm，O₂的流量为8sccm～13sccm。

5.根据权利要求4所述的沟槽阵列的形成方法，其特征在于，第一刻蚀的主要刻蚀参数为：腔室压力75mT～85mT，偏置功率340W～360W，电源功率330W～350W，腔室温度55℃～65℃，刻蚀磁场强度为27GHZ至32GHZ，刻蚀时间为3s～7s。

6.根据权利要求4所述的沟槽阵列的形成方法，其特征在于，第二刻蚀的主要刻蚀参数为：腔室压力90mT～110mT，偏置功率810W～1000W，电源功率690W～750W，腔室温度55℃～65℃，刻蚀磁场强度为27GHZ至32GHZ，刻蚀时间为35s～45s。

7.根据权利要求4所述的沟槽阵列的形成方法，其特征在于，第三刻蚀的主要刻蚀参数为：腔室压力90mT～110mT，偏置功率810W～1000W，电源功率690W～750W，腔室温度55℃～65℃，刻蚀磁场强度为27GHZ至32GHZ，刻蚀时间为20s～30s。

8.根据权利要求4所述的沟槽阵列的形成方法，其特征在于，在第三刻蚀后形成的沟槽特征尺寸宽度为0.1um～0.3um，深度为1.0um～3.0um。

9.根据权利要求1所述的沟槽阵列的形成方法，其特征在于，所述半导体基底包括硅外延层。

10.根据权利要求1所述的沟槽阵列的形成方法，其特征在于，在第三刻蚀步骤后还包括：对硅外延层掺杂，形成垂直于半导体基底表面方向的PN结。