[发明专利]半透射半反射式液晶显示面板及其制作方法无效
| 申请号: | 201010002135.3 | 申请日: | 2010-01-05 |
| 公开(公告)号: | CN102116956A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
| 发明(设计)人: | 杨瑞贤;施博盛;萧建智;胡宪堂;刘挺中 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 蹇炜 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 透射 反射 液晶显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种制作半透射半反射式液晶显示面板的方法,包含有以下步骤:
提供阵列基板,所述阵列基板包含多个像素区,且各所述像素区包含元件区、透射区与反射区;
于所述阵列基板上形成第一金属层;
图案化所述第一金属层,以于所述元件区内形成栅极电极,同时于所述反射区内形成多个金属凸块;
于所述阵列基板上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述栅极电极与所述多个金属凸块,且所述第一绝缘层藉由位于其下方的所述多个金属凸块而具有粗糙表面;
于所述元件区内的所述栅极电极上形成图案化半导体层;
于所述反射区内形成反射层,且所述反射层覆盖所述第一绝缘层并藉由位于其下方的所述第一绝缘层而具有粗糙表面;以及
于所述阵列基底上形成图案化第二绝缘层与像素电极。
2.如权利要求1所述的方法,其中形成所述反射层的步骤还包含:
于所述图案化半导体层与所述第一绝缘层上形成第二金属层;以及
图案化所述第二金属层,以于所述图案化半导体层上形成源极/漏极,同时于所述反射区内形成所述反射层。
3.如权利要求2所述的方法,其中形成所述图案化第二绝缘层与所述像素电极的步骤是于形成所述反射层的步骤后进行。
4.如权利要求1所述的方法,还包含于形成所述图案化第二绝缘层与所述像素电极之前,先于所述图案化半导体层上形成源极/漏极。
5.如权利要求4所述的方法,其中形成所述反射层的步骤还包含:
于所述图案化第二绝缘层与所述像素电极上形成第三金属层;以及
图案化所述第三金属层,以于所述反射区内的所述像素电极上形成所述反射层。
6.一种制作半透射半反射式液晶显示面板的方法,包含有以下步骤:
提供阵列基板,所述阵列基板包含多个像素区,且各所述像素区包含元件区、透射区与反射区;
于所述阵列基板的所述元件区内形成栅极电极;
于所述阵列基板上依序形成第一绝缘层与图案化半导体层;
图案化所述第一绝缘层,以于所述反射区内形成多个凸块;
于所述反射区内形成反射层,且所述反射层覆盖所述多个凸块且藉由位于其下方的所述多个凸块而具有粗糙表面;以及
依序于所述阵列基底上形成图案化第二绝缘层与像素电极。
7.如权利要求6所述的方法,其中形成所述反射层的步骤还包含:
于所述图案化半导体层、所述第一绝缘层、与所述多个凸块阵列基底上形成第一金属层;以及
图案化所述第一金属层,以于所述元件区内的所述图案化半导体层上形成源极/漏极,同时于所述反射区内形成所述反射层。
8.如权利要求7所述的方法,其中形成所述图案化第二绝缘层与所述像素电极的步骤是于形成所述反射层的步骤后进行。
9.如权利要求6所述的方法,还包含于形成所述图案化第二绝缘层与所述像素电极之前,先于所述图案化半导体层上形成源极/漏极。
10.如权利要求9所述的方法,其中形成所述反射层的步骤还包含:
于所述图案化第二绝缘层与所述像素电极上形成第二金属层;以及
图案化所述第二金属层,以于所述反射区内的所述像素电极上形成所述反射层。
11.一种半透射半反射式液晶显示面板,包含有:
阵列基板,所述阵列基板包含多个像素区,且各所述像素区具有元件区、透射区与反射区;
薄膜晶体管,形成于所述阵列基板的所述元件区内;
多个凸块,形成于所述阵列基板的所述反射区内;
反射层,形成于所述阵列基板的所述反射区内,且覆盖所述多个凸块而具有粗糙表面;以及
像素电极,形成于所述阵列基板的所述透射区与所述反射区内,且电连接至所述薄膜晶体管。
12.如权利要求11所述的液晶显示面板,其中所述薄膜晶体管还包含:
栅极电极;
第一绝缘层,覆盖所述栅极电极;
图案化半导体层,形成于所述第一绝缘层上;以及
第二金属层,形成于所述图案化半导体层上,用以作为所述薄膜晶体管的源极/漏极。
13.如权利要求12所述的液晶显示面板,其中所述栅极电极与所述多个凸块包含相同的金属材料。
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